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中普尼實業(yè)集團（海南）有限公司
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更新時間：2023-06-29 12:39:38瀏覽次數(shù)：591次
聯(lián)系我時，請告知來自 包裝印刷網(wǎng)反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備CPN-H67-12A型：該設(shè)備主要用于半導(dǎo)體集成電路制造中氮化硅、多晶硅、二氧化硅的干法刻蝕；而且還能刻蝕鉻、氧化鉻、鋁等
反 應(yīng) 離 子 刻 蝕 設(shè) 備CPN-H 6 7 -12A 型：
該設(shè)備主要用于半導(dǎo)體集成電路制造中氮化硅、多晶硅、二氧化硅的干法刻蝕；而且還能刻蝕鉻、氧化鉻、鋁等。:采用上電極進源的平行平板電極，具有各向異性腐蝕，因而腐蝕精度高。反應(yīng)室鐘罩電動升降：抽氣管道采用大口徑不銹鋼波逢管，配有30升的羅茨泵機組，帶有壓力控制裝置。
主要技術(shù)指標：
1、主機電源：380v/50Hz 5KVA 。
2、電極間距：10～30mm可調(diào)。
3、裝片量：Ф50 8片次，Ф75 3片/次，Ф127 1片/次。
4、均勻性：＜5%。
5、刻蝕速率：1000A°/min（Sino2）。
6、射頻電源：f=13.56Mhz，p=200-1000W， 駐波比＜1.5。
7、極限真空度： 2pa。
8、供氣系統(tǒng)：三路質(zhì)量流量計。
9、外型尺寸：1000×800×1800。
10、重量：200Kg。
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