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行業(yè)產(chǎn)品

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等離子淀積設(shè)備CPN-DD—P250型

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更新時間:2023-06-29 12:36:02瀏覽次數(shù):181次

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產(chǎn)品簡介

表面鈍化技術(shù)是提高器件的可靠性穩(wěn)定性的一項有效的措施

詳細介紹

表面鈍化技術(shù)是提高器件的可靠性穩(wěn)定性的一項有效的措施。本設(shè)備是半導體器件表面鈍化的專用設(shè)備,主要用于半導體器件表面低溫淀積氮化硅、二氧化硅、多晶硅、磷硅玻璃等介質(zhì)膜。反應(yīng)室采用承片臺固定的平行電極和的氣流模式,具有結(jié)構(gòu)簡單,操作方便,均勻性重復性好。(第四批替代引進產(chǎn)品)


主要技術(shù)參數(shù):

1、主機電源:    380V/50Hz   2.5KW。

2、反應(yīng)室尺寸:  344×105(mm)。

3、上下電極直徑:250mm(下電極承片)。

4、兩極板間距:  10~30mm可調(diào)。

6、裝片數(shù):  Ф50mm  15片/次, Ф75mm  6片/次 , Ф100mm  4片/次。

7、均勻性和重復性:  <5%。

8、反應(yīng)室極限真空度:    優(yōu)于3Pa    。  

9、淀積溫度(襯底溫度):   150℃~350℃自控。

10、淀積速率: 300A°/min(氮化硅)  。 

11、真空系統(tǒng):配用JZJ—30羅茨泵機組,有壓力調(diào)節(jié)裝置。

12、供氣系統(tǒng):三路質(zhì)量流量計。        

13、射頻電源:f=13.56MHz,P=1000W  駐波比<1.5    ,帶有匹配網(wǎng)絡(luò)和功率計。

14、外型尺寸: 1120×550×1260(mm) 。

15、重量:150Kg。


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