詳細(xì)描述
本產(chǎn)品具有三種功能:等離子體刻蝕(PE)、反應(yīng)離子刻蝕(RIE)、感應(yīng)耦合等離子體刻蝕(ICP)。其刻蝕原理不盡相同,既有純化學(xué)的,也有物理與化學(xué)相結(jié)合的模式。它既可以進(jìn)行細(xì)線條(納米)加工,又可以進(jìn)行體加工。
本設(shè)備具有選擇比好,刻蝕速度快、重復(fù)性好等特點(diǎn),它較RIE具有更好的綜合刻蝕效果且應(yīng)用范圍更廣。可刻蝕的材料主要有Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。
本產(chǎn)品通過對(duì)真空系統(tǒng)、工作壓強(qiáng)、射頻電源匹配、氣體流量及工藝過程的全自動(dòng)控制,使工藝的重復(fù)性、穩(wěn)定性、可靠性得到有效保證,并能精確地控制圖形的剖面,從而獲得好的刻蝕效果。
本設(shè)備的數(shù)字化參數(shù)界面和自動(dòng)化操作方式為用戶提供了優(yōu)良的研發(fā)和生產(chǎn)平臺(tái)。
本設(shè)備所增加的進(jìn)樣室和機(jī)械手自動(dòng)取送片裝置使設(shè)備的自動(dòng)化程度更高,并能使刻蝕室的真空與工作環(huán)境得以改善,體刻蝕效果更佳。
本產(chǎn)品通過軟、硬件相互配合的互鎖、智能監(jiān)控、在線狀態(tài)記憶、斷點(diǎn)保護(hù)等設(shè)計(jì),結(jié)合各種硬保護(hù)裝置、使設(shè)備的安全性、可靠性得到有效保證。
本設(shè)備主要用于微電子、光電子、通訊、微機(jī)等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。
產(chǎn)品主要性能指標(biāo)
型號(hào) | ICP-5100 |
真空系統(tǒng) | 進(jìn)樣室:機(jī)械泵系統(tǒng);刻蝕室:分子泵機(jī)組 |
刻蝕室數(shù)量 | 單室 |
刻蝕室規(guī)格 | ?300×280mm |
電極尺寸 | ?200mm |
刻蝕材料 | Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、Au、Al、W、Mo、GaN、GaAs等 |
刻蝕速率 | ~4 μ/min (與刻蝕材料和工藝有關(guān)) |
刻蝕不均勻性 | ≤±5% |
自動(dòng)化程度 | 真空系統(tǒng)、機(jī)械手送/取樣片、下游壓力閉環(huán)控制、射頻電源、氣體流量、工藝過程全自動(dòng)控制。 |
人機(jī)界面 | Windows環(huán)境、觸摸屏操作 |
操作方式 | 全自動(dòng)方式、非全自動(dòng)方式 |
自動(dòng)化裝置的選配 | 可選擇進(jìn)口件或國(guó)產(chǎn)件 |