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日本電子掃描電子顯微鏡

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產(chǎn)品型號JSM-7800F

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深圳市鴻永精儀科技有限公司

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聯(lián)系人：吳波先生

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產(chǎn)品簡介

詳細(xì)介紹

新一代掃描電鏡JSM-7800F配備了新開發(fā)的超級混合式物鏡(SHL)，在保持的可操作性的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了低加速電壓下的高分辨率，電子源采用浸沒式（in-lens）肖特基場發(fā)射電子槍，因而能以大束流電流進(jìn)行穩(wěn)定的分析。

通過超級混合式物鏡(SHL)進(jìn)行高分辨率觀察

JSM-7800F的物鏡采用的是靜電場和靜磁場疊加的超級混合式物鏡(SHL)，由于減少了色差及球差，極大地提高了低加速電壓下的分辨率。此外，SHL不會對樣品形成磁場影響，因此觀察磁性材料的樣品和進(jìn)行EBSD測試可以不受制約。

低加速電壓下的能量選擇

能量過濾器位于高位檢測器 (UED)的正下方，可以選擇能量。即使在低加速電壓下，也能夠精確地選擇二次電子和背散射電子，因而可以通過低加速電壓下的背散射電子像，觀察樣品的淺表面。

通過Gentle Beam （即柔和光束GB模式）觀察樣品的淺表面

給樣品加以偏壓(GB)，對入射電子有減速、對釋放出的電子有加速作用。即使入射電子束到達(dá)樣品時(shí)的能量很低，也可以獲得高分辨率、高信噪比的圖像。如果利用能施加更高偏壓的GB模式，用數(shù)十電子伏能量的入射電子束，就可以進(jìn)行更高分辨率的觀察。

通過多個(gè)檢測器獲取樣品的所有信息

JSM-7800F配有四種檢測器：高位檢測器(UED) 、高位二次電子檢測器(USD)、背散射電子檢測器(BED)和低位檢測器(LED)。UED過濾器的電壓不同，二次電子和背散射電子的數(shù)量會改變，因此可以選擇電子的能量，USD檢測被過濾器彈回的低能量電子，BED通過檢測低角度的背散射電子，能清楚地觀察通道襯度。利用LED的照明效果能夠獲得含有形貌信息的、富有立體感的圖像。

應(yīng)用實(shí)例

低加速電壓下的觀察
利用JSM-7800F的GB模式，到達(dá)樣品的能量從10 eV開始就可以觀察。下面將到達(dá)樣品的能量設(shè)定為80 eV進(jìn)行實(shí)例觀察：
一個(gè)碳原子厚度的石墨薄片的表面

樣品: 石墨烯　到達(dá)能量80eV
能量選擇
UED和USD能同時(shí)獲取背散射電子像(左圖)和二次電子像(右圖)，因此可以精確地解釋圖像。二次電子像主要反映形貌信息，金顆粒和TiO2的襯度沒有明顯不同，而背散射電子像中原子序數(shù)高的金顆粒則顯得明亮。
背散射電子像二次電子像
樣品: 金負(fù)載型TiO2催化劑(2kV)g
利用GBSH觀察
利用GBSH對樣品施加高偏壓，像差將會減小，圖像的高分辨率會更高。能清楚地觀察到介孔二氧化硅里中的微孔(下圖)。

樣品：介孔二氧化硅　到達(dá)樣品的能量: 1keV
觀察磁性材料樣品
SHL物鏡能抑制磁場的泄漏，因此即便是磁性材料的樣品，也可以用極低的入射電子能量很容易地進(jìn)行高分辨率觀察。

樣品: 磁鐵礦納米顆粒　到達(dá)樣品的能量: 1keV
磁性樣品的EBSD測試
SHL沒有磁場泄漏的影響，也很適合于EBSD。象下圖所示那樣，通過反極圖能準(zhǔn)確地確定晶體的取向。
分析點(diǎn)數(shù): 118585
尺寸:
X: 80.00微米, Y : 79.89微米
步長: 0.25微米
相: Nd2Fe14B
從樣品中獲得的EBSD花樣實(shí)例
( 在任意點(diǎn)上獲取)
ND
TD
RD