產(chǎn)品介紹失效分析是在提高產(chǎn)品質(zhì)量，技術(shù)開(kāi)發(fā)、改進(jìn)，產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強(qiáng)的實(shí)際意義，是根據(jù)失效模式和現(xiàn)象，通過(guò)分析和驗(yàn)證，模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象，找出失效的原因，挖掘出失效的機(jī)理的活動(dòng)

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產(chǎn)品介紹

失效分析是在提高產(chǎn)品質(zhì)量，技術(shù)開(kāi)發(fā)、改進(jìn)，產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強(qiáng)的實(shí)際意義，是根據(jù)失效模式和現(xiàn)象，通過(guò)分析和驗(yàn)證，模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象，找出失效的原因，挖掘出失效的機(jī)理的活動(dòng)。

我們?yōu)榭蛻籼峁┑碾婌o檢測(cè)分析服務(wù)為：場(chǎng)發(fā)射環(huán)境掃描電子顯微鏡、鎢燈絲掃描電子顯微鏡、冷場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡、透視電子顯微鏡、場(chǎng)發(fā)射透射電子顯微鏡。

設(shè)備名稱：場(chǎng)發(fā)射環(huán)境掃描電子顯微鏡

型號(hào)：Quanta 400 FEG

廠家：美國(guó)FEI

主要用途：

? 可在高真空、低真空（130Pa)、環(huán)境真空(4000Pa)下觀察導(dǎo)電和不導(dǎo)電樣品，對(duì)材料的表面和橫截面的微觀形貌、成分進(jìn)行分析，廣泛應(yīng)用于金屬材料、高分子材料、半導(dǎo)體材料、納米材料等領(lǐng)域；

? 配備的Apollo40 SDD能譜無(wú)需液氮制冷，可進(jìn)行快速的點(diǎn)、線、面分布分析，獲得能譜的mapping圖譜；

? 其樣品室直徑達(dá)284 mm，對(duì)于直徑達(dá)四英寸硅片可以直接進(jìn)行測(cè)試，無(wú)需對(duì)樣品進(jìn)行分割處理；

? 附件MonoCL3+陰極熒光譜儀不僅可以測(cè)量材料微區(qū)在電子束激發(fā)下的發(fā)光光譜，而且可以進(jìn)行成像顯示，從而可以對(duì)樣品的禁帶寬度、雜質(zhì)缺陷等進(jìn)行表征，獲取更為豐富的信息；? 可以測(cè)量材料的電子束感生電流（EBIC）,從而獲得材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)缺陷等信息，與陰極熒光測(cè)量互為補(bǔ)充。

主要配置：

? MonoCL3+陰極熒光譜儀，波長(zhǎng)范圍160-930nm

? 電子束感生電流（EBIC）

? STEM探測(cè)器

? Apollo 40 SDD能譜儀

? 液氮冷臺(tái)，溫度范圍為-185℃- +200℃

? 液氦冷臺(tái)，溫度范圍為6K-300K

性能指標(biāo)：

? 肖特基場(chǎng)發(fā)射電子槍

? 加速電壓：200V-30 kV

? 放大倍數(shù)：12-2,000,000

? 分辨率：

高真空:

- 0.8nm at 30kV (STEM)

- 1.2nm at 30kV (SE)

- 2.5nm at 30kV (BSE)

- 3.0nm at 1kV (SE)

低真空:

- 1.5nm at 30kV (SE)

- 2.5nm at 30kV (BSE)

- 3.0nm at 3kV (SE)

環(huán)境真空:

- 1.5nm at 30kV (SE)

? 樣品室：284mm，5軸馬達(dá)臺(tái)

? EDS分辨率:優(yōu)于136 eV，可分析包括B5以上的所有元素

場(chǎng)發(fā)射環(huán)境掃描電子顯微鏡

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