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德國 SUSS全自動光刻機MA100/150e Gen2

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產(chǎn)品型號MA100/150e Gen2

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更新時間：2024-02-20 15:44:48瀏覽次數(shù)：230次

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武漢茂迪科技有限公司

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產(chǎn)品簡介

基于SUSSMicroTec的光刻機經(jīng)典設(shè)計，MA100/150eGen2提供了的工藝延展性，使客戶能夠?qū)⑿碌男酒O(shè)計快速投入市場，其光刻作業(yè)產(chǎn)量高達每小時145片

詳細介紹

基于SUSS MicroTec的光刻機經(jīng)典設(shè)計，MA100/150e Gen2提供了的工藝延展性，使客戶能夠?qū)⑿碌男酒O(shè)計快速投入市場，其光刻作業(yè)產(chǎn)量高達每小時145片。

MA100/150e Gen2針對上至4英寸的小尺寸晶圓片進行了特別優(yōu)化設(shè)計。系統(tǒng)可以穩(wěn)定地達到優(yōu)于0.7µm的對準精度（直接對準）。選配的底部對準功能（BSA），對準精確度優(yōu)于±1.5 µm。MA100/150e的對準單元針對LED制造工藝要求進行了特別調(diào)校，透明和表面粗糙的晶圓片都能獲得的對比度。

在光刻工藝中，只需對準器件晶圓同側(cè)的結(jié)構(gòu)（例如再布線層、微凸點等），用頂部對準功能將掩模位置標記對準晶圓位置標記。根據(jù)襯底的特性，這可以用存儲的晶圓位置數(shù)據(jù)或者用兩個現(xiàn)場照片、SUSS MicroTec 開發(fā)的DirectAlign™ 直接對準技術(shù)實現(xiàn)。

我們的客戶可以從中得到以下好處

掩模對準器的對準精度
清晰、強大的圖像識別功能，即使在對比度不理想的情況下

應(yīng)用微電子機械系統(tǒng)（MEMS）、圓晶級封裝和三維集成的工藝，例如在接板上制造垂直通孔 (TSV)，需要與正面結(jié)構(gòu)對準的晶圓背面結(jié)構(gòu)。此時常使用光學(xué)背面對準。集成攝像機系統(tǒng)采集掩模結(jié)構(gòu)和晶片背面結(jié)構(gòu)并將它們相互對準。由于晶圓在裝載掩模靶后被覆蓋，必須預(yù)先確定并存儲其位置。這對整個對準系統(tǒng)提出了特殊的要求。

我們的客戶可以從中得到以下好處

SUSS 掩模對準器憑借其的機械精度和穩(wěn)定性帶來的準確性

提高對準精度

當(dāng)對套刻精度有較高要求時，大大提升標準系統(tǒng)的自動對準功能。DirectAlign®，SüSS MicroTecs 圖像識別軟件附加功能，放棄圖片存儲系統(tǒng)中的結(jié)構(gòu)圖文件，取而代之的是訪問實況圖。結(jié)構(gòu)識別基于工業(yè)標準 PatMax 且取得了優(yōu)異成績。因此，在 SUSS 掩模對準器上用 Direct Align® 進行頂面對準時對準精度可達到 0.5 微米。
對易混淆結(jié)構(gòu)或視野受限的苛刻對準過程建議使用強化對準。

多層晶圓堆疊被應(yīng)用在許多構(gòu)造工藝中。用紅外照射可以識別并對準通常埋在層之間的對準標記。

紅外光還可以根據(jù)這些埋入的標記進行對準。這需要使用能透過紅外線的材料，例如硅、III-V族半導(dǎo)體（如砷化鎵）以及臨時鍵合和鍵合分離工藝中所使用的粘著劑通過個例研究檢查可行性。

為了盡可能擴大紅外對準的使用范圍，SUSS 掩模對準器可以選配強大的紅外光源和高性能攝像系統(tǒng)。

我們的客戶可以從中得到以下好處

強大的紅外光源和高性能攝像系統(tǒng)

將一個已形成結(jié)構(gòu)的掩模與圓晶對齊，然后將掩模與圓晶的距離縮得非常?。ㄒ虼擞纸小敖咏焦饪?）。在曝光過程中，掩模結(jié)構(gòu)的影子被轉(zhuǎn)移到圓晶上。掩模于圓晶之間距離的精度以及曝光鏡頭系統(tǒng)的質(zhì)量，一起決定了曝光結(jié)果的質(zhì)量。

該方法因為速度快，應(yīng)用靈活，從而成為微結(jié)構(gòu)生產(chǎn)成本效益的方法，它能生產(chǎn)出最小3微米的微結(jié)構(gòu)。接觸式曝光能達到亞微米級別的分辨率。典型的應(yīng)用范圍包括圓晶級芯片尺寸封裝、倒裝芯片封裝、凸點、微電子機械系統(tǒng)（MEMS）、LED和電力設(shè)備等領(lǐng)域。這些系統(tǒng)被應(yīng)用到了大規(guī)模生產(chǎn)的以及工業(yè)研究領(lǐng)域中。

SUSS MicroTec 公司的掩模對準器以陰影工藝為基礎(chǔ)。

我們的客戶可以從中得到以下好處