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日立原位環(huán)境透射電子顯微鏡H-9500

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)品介紹：H-9500是一款300kV原位環(huán)境透射電鏡，其的特點是可以進(jìn)行原位實時觀察。相比于普通的透射電鏡，H-9500可以實現(xiàn)樣品在不同條件（如氣體、加熱等）刺激下的原位觀察，同時保證高分辨

詳細(xì)介紹

主要特點：

高效快捷的數(shù)字化電子顯微鏡

5分鐘內(nèi)實現(xiàn)300kV高壓下電子束發(fā)射(自動模式)，1分鐘換樣時間。

快慢雙模式照相系統(tǒng)

可選配電子直接成像相機(jī)，滿足高速原位觀察

穩(wěn)定可靠的5軸樣品臺低速或高速樣品臺

樣品位置記憶追蹤功能

優(yōu)秀的擴(kuò)展性

FIB擴(kuò)展夾具、3D樣品桿(選件)

圖片數(shù)據(jù)庫

易于操作的Windows圖形操作界面

項目	主要參數(shù)
電子槍	LaB₆電子槍
加速電壓	300kV、200kV^*
點分辨率	0.18nm
線分辨率	0.10nm
放大倍率	低倍：200x - 500x 觀察：1,000x – 1,500,000x 選區(qū)：4,000x – 500,000x
照射系統(tǒng)	透鏡：四級透鏡；光闌：4孔
成像系統(tǒng)	透鏡：五級透鏡；物鏡光闌：4孔；選區(qū)光闌：4孔
樣品桿	5軸雙傾樣品桿，α=β=±15°或更大

應(yīng)用領(lǐng)域：
H-9500作為一款真正意義上的原位環(huán)境透射電鏡，其主要應(yīng)用集中在原位環(huán)境觀察上，如各類化學(xué)反應(yīng)過程的觀察，同種材料不同相態(tài)之間轉(zhuǎn)變過程的觀察，各類納米器件工作原理的實時觀察等。因此，H-9500適用于催化劑、燃料電池、納米材料及環(huán)境安全、氣敏元器件、地球化學(xué)材料等多個領(lǐng)域。

應(yīng)用文章：

[1] Xie1, D. G., Wang1, Z. J., Sun1, J., Li1-3, J., Ma1-4, E., & Shan1, Z. W. In situ study of the initiation of hydrogen bubbles at the aluminium metal/oxide interface. Nature Materials, 2015, DOI: 10.1038/NMAT 4336.

[2] Jiang1, Y., Wang1, Y., Zhang2, Y. Y., Zhang1, Z. F., Yuan1, W. T., Sun3, C. H., Wei1, X., Brodsky4, C. N., Tsung4, C. K., Li1, J. X., Zhang5, X. F., Mao6, S. X., Zhang2, S. B. & Zhang1, Z. Direct observation of Pt nanocrystal coalescence induced by electron-excitation-enhanced van der Waals interactions. Nano Research, 2014, 7(3), 308-314.

[3] Peng, H. L., Chan, C. K., Meister, S., Zhang, X. F. & Cui, Y. Shape Evolution of Layer-Structured Bismuth Oxychloride Nanostructures via Low-Temperature Chemical Vapor Transport. Chem. Mater. 2009, 21, 247-252.

[4] Vlier1, D. F., Wang1, C., Tripkovic1, D., Strmcnik1, D., Zhang2, X. F., Debe3, M. K., Atanasoski3, R. T., Markovic1, N. M. & Stamenkovic1, V. R. Mesostructured thin films as electrocatalysts with tunable composition and surface morphology. Nature Materials, 2012, 11, 1051-1058.

[5] Huo, Z. Y., Tsung, C. K., Huang, W. Y., Zhang, X. F. & Yang, P. D. Sub-Two Nanometer Single Crystal Au Nanowires. Nano Lett., 2008, 8, 2041-2044.

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