性能指標
- 電鏡分辨率: 1.5nm @ 15kV；2.0nm @ 10kV；3.0nm @ 5kV
- 加速電壓: 500V～30kV
- 束流大小: 20nA
- 電鏡物鏡模式: 磁浸入模式UHR、無磁場模式HR
- 電鏡檢測器: 高真空二次電子檢測器(SE)、極靴內(nèi)二次電子檢測器(TLD)、極靴內(nèi)背散射電子檢測器(TLD-B)、四分固體式背散射電子探測器(BSE)、樣品室紅外CCD探測器
- 能譜分辨率: 129eV(Mn Kα) 能譜元素檢測范圍: B5～U92
主要應(yīng)用
- 固體樣品的微觀形貌、結(jié)構(gòu)，樣品的微區(qū)元素成份及線分布、面分布，廣泛應(yīng)用于納米技術(shù)、材料、物理、生物、化學、熱能、地球科學、環(huán)境、光電子等領(lǐng)域。
- 粉末、微粒樣品形態(tài)的測定 金屬、陶瓷、礦物、水泥、半導(dǎo)體、紙張、塑料、食品、農(nóng)作物、細胞等材料的顯微形貌分析 復(fù)合材料界面特性的研究 材料中元素定性分析、定量分析、線分析、面分析 材料及電子器件失效分析 。
樣品要求
- 樣品中不得含有鐵（Fe）、鈷(Co)、鎳(Ni)。 樣品不得具有磁性，并且不易被磁化。
- 樣品中不得含有水分。 樣品高度小于15mm，直徑小于30mm。
- 多孔類或易潮解的樣品，請?zhí)崆罢婵崭稍锾幚怼?/span>
- 樣品應(yīng)具有導(dǎo)電性。
- 若樣品不導(dǎo)電，需要進行鍍金、碳等導(dǎo)電膜的處理（本中心也提供鍍膜服務(wù)，但需要另行收費）。
儀器說明
- 儀器名稱：高分辨場發(fā)射掃描電子顯微鏡 硅漂移探測器能譜儀 Field-emission Scanning Electron Microscopy & Energy Dispersive Spectrometer
- 儀器型號：Sirion 200 (SEM)& INCA X-Act (EDS)
- 儀器縮寫：SEM
- 生產(chǎn)廠家：美國FEI公司& 英國Oxford公司
- 關(guān)鍵詞：掃描電鏡 SEM 能譜儀 EDS 微觀形貌 表面形貌 元素成分 元素分布
- 儀器簡介： Sirion 200型掃描電子顯微鏡具有超高分辨率，該儀器能實現(xiàn)對各種固態(tài)樣品表面形貌的觀察，獲得表面形貌的二次電子像、背散射電子像。該儀器配備的x射線能譜儀，能同時進行樣品表層的微區(qū)點線面元素的定性、半定量分析。
