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更新時(shí)間:2025-01-01 06:47:46瀏覽次數(shù):78次
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MDPmap設(shè)計(jì)用于離線生產(chǎn)控制或研發(fā)、測(cè)量少子壽命、光電導(dǎo)率、電阻率和缺陷信息等參數(shù)的小型臺(tái)式無觸點(diǎn)電特性測(cè)量?jī)x器,在穩(wěn)態(tài)或短脈沖激勵(lì)下(μ-PCD)下工作。自動(dòng)的樣品識(shí)別和參數(shù)設(shè)置允許在從原始生長(zhǎng)晶片到高達(dá)95%金屬化晶片的各種工藝階段之后,容易地應(yīng)用于包括外延層的各種不同樣品。
MDPmap的主要優(yōu)點(diǎn)是靈活性高。例如,它允許集成多達(dá)四個(gè)激光器,用于從超低注入到高注入的與注入水平相關(guān)的壽命測(cè)量,或者通過使用不同的激光波長(zhǎng)提取深度信息。包括偏光設(shè)施,以及μ-PCD或穩(wěn)態(tài)注入條件的選擇??梢允褂貌煌臏y(cè)量圖形進(jìn)行客戶定義的計(jì)算,以及導(dǎo)出用于進(jìn)一步評(píng)估的主要數(shù)據(jù)。對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量,預(yù)定義的標(biāo)準(zhǔn)僅通過按一個(gè)按鈕即可實(shí)現(xiàn)常規(guī)測(cè)量。
優(yōu)勢(shì)
在幾乎任何生產(chǎn)階段,電活性缺陷或材料性能的可視化實(shí)現(xiàn)了工藝優(yōu)化和設(shè)備的性能預(yù)測(cè)。
其通用的測(cè)量方法可實(shí)現(xiàn)特殊測(cè)量以及國際標(biāo)準(zhǔn)的可追溯性。
小型緊湊的臺(tái)式工具,具有很高的測(cè)量靈敏度,便于快速常規(guī)測(cè)量。
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