剝離成形電子束設(shè)備介紹：

對(duì)於有些金屬，我們很難使用蝕刻(Etching)方式來(lái)完成想要的電路圖案(Circuit Pattern)時(shí)，就可以採(cǎi)用 Lift-Off製程來(lái)做出想要的金屬圖案。在此過(guò)程中，電子束蒸發(fā)於在基板表面上沉積所需的薄膜層於犧牲層與基材上，最終在洗去其犧牲層，以得到其電路圖案。由於SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制蒸發(fā)速度，因此薄膜厚度和均勻度皆小於+/- 3％。

1.準(zhǔn)備基板。
2.犧牲薄膜層的沉積。
3.對(duì)犧牲層進(jìn)行圖案化（例如蝕刻），以形成反向圖案。
4.沉積目標(biāo)材料。
5.洗去犧牲層以及目標(biāo)材料的表面。
6.最終圖案層：
①基材
②犧牲層
③目標(biāo)材料

剝離成形電子束設(shè)備參數(shù)：