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感應(yīng)耦合電漿蝕刻返回列表頁(yè)

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簡(jiǎn)要描述：感應(yīng)耦合電漿蝕刻是在標(biāo)準(zhǔn)反應(yīng)離子蝕刻（RIE）的基礎(chǔ)上，添加電感耦合電漿的。感應(yīng)耦合電漿由磁場(chǎng)圍繞石英晶體管所提供。產(chǎn)生的高密度電漿被線圈包圍，將充當(dāng)變壓器中的次級(jí)線圈，加速電子和離子，從而引起碰撞，產(chǎn)生更多的離子和電子。

詳情介紹

感應(yīng)耦合電漿蝕刻（ICP）蝕刻是在標(biāo)準(zhǔn)反應(yīng)離子蝕刻（RIE）的基礎(chǔ)上，添加電感耦合電漿的。感應(yīng)耦合電漿由磁場(chǎng)圍繞石英晶體管所提供。產(chǎn)生的高密度電漿被線圈包圍，將充當(dāng)變壓器中的次級(jí)線圈，加速電子和離子，從而引起碰撞，產(chǎn)生更多的離子和電子。

高密度的電漿和低真空度增強(qiáng)了具有非等向性的高蝕刻速率?？梢愿鶕?jù)製程要求通過(guò)調(diào)節(jié)來(lái)自射頻發(fā)生器的直流偏壓來(lái)控制離子和電子能量。

SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制製程氣體與電漿製程，並提供高精準(zhǔn)度的薄膜蝕刻。

感應(yīng)耦合電漿蝕刻參數(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域	腔體
矽化合物蝕刻(SiO2、SiN4)。光阻蝕刻。 III-V族化合物半導(dǎo)體（GaAsn，InP，GaN）蝕刻。微機(jī)電系統(tǒng)。金屬與矽蝕刻。	陽(yáng)極電鍍處理鋁腔。通過(guò)使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加熱包來(lái)控制腔體溫度。
配置和優(yōu)點(diǎn)	選件
客製化的基板尺寸，直徑可達(dá)12寸晶圓。優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。具有高均勻度氣體分佈的質(zhì)量流量控制器。穩(wěn)定的溫度控制，將載盤(pán)加熱至300°C或冷卻至-20°C。使用Tornado ICP線圈，ICP電漿高達(dá)2000W，可增強(qiáng)低溫下的沉積。低損壞，高速率處理，高深寬比。基板具有氦氣冷卻之功能，均勻的控制溫度。均勻的氣體擴(kuò)散，具有優(yōu)化的氣體分佈。	靜電吸盤(pán)。蝕刻終點(diǎn)偵測(cè)（OES，激光）相容性。可以與傳送腔、機(jī)械手臂和手套箱整合在一起。