沈陽北博電子科技有限公司
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更新時間：2024-06-19 07:24:17瀏覽次數(shù)：153次
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1、主要特點：
數(shù)字化系統(tǒng)協(xié)同設計、MEMS工藝制造
微一體化、同步測量壓力和溫度
一體化封裝結(jié)構(gòu)魯棒、可靠、性能穩(wěn)定
多種壓力與溫度類型組合、量程范圍寬
適于壓力傳感器智能化
2、主要性能技術指標
序號
項目
規(guī)格指標
備注
1
組合敏感類型
表壓-溫度
絕壓-溫度
表壓-絕壓-溫度差
壓-靜壓-溫度
2
壓力敏感芯片材質(zhì)
SOI硅單晶
3
溫度元件類型
擴散硅、薄膜鉑電阻
4
基準壓力量程
表壓、
絕壓
差壓
靜壓
1*
30kPa、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa、10MPa、30MPa
100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa 6MPa、10MPa、30MPa、
10kPa、30kPa、60kPa、100kPa、300kPa、600kPa、1MPa、3MPa、6MPa
1MPa、6MPa、
10MPa、30MPa
2*
5
壓力過載能力
表壓、絕壓單向≥3倍（≤10MPa）、≥2倍（＞10MPa）
差壓雙向≥5倍基準量程
1*
6
被測介質(zhì)
與金屬、單晶硅兼容的非腐蝕性、絕緣氣體和液體
7
激勵電源
12±4VDC或 24±4VDC
8
輸出阻抗
200Ω（典型值）
3*
9
壓力輸出信號模式
0.5～5VDC
2*、3*、4*
10
壓力準確度
≤ ±0.25%FS （典型值）
3*、4*
11
工作溫度
-55～+125℃；-55～+180℃；-55～+240℃；-55～+300℃；
5*、6*、2*
12
熱零點漂移
≤± 1%FS/55℃
7*
13
熱靈敏度漂移
≤±1%F.S /55℃
7*
14
熱電阻標稱阻值
擴散硅30～60kΩ；鉑薄膜Pt100，Pt200，Pt500、Pt1000；
2*
15
熱電阻溫度系數(shù)
擴散硅≥30Ω/℃；鉑薄膜3850ppm/℃；
2*
16
絕緣電阻
>100MW
3*、8*
17
短期穩(wěn)定性
±0.05%FS/8h
3*
18
長期穩(wěn)定性
≤±0.1%FS/年
3*
19
電氣連接形式
多芯線纜
20
測量接口形式
外螺紋、法蘭
注：1*. 無注明，差壓為單壓力敏感器件； 2*. 可用戶定制；
3*. 恒溫25℃； 4*. 非線性算法為最小二乘法；
5*.;接插件和放大器工作溫度-55℃～+125℃； 6*.-55℃為溫度，+400℃為溫度；
7*. -55～25℃或25～80℃； 8*. 100VDC；
注：可提供定制服務，如有需求請與營銷人員聯(lián)系。
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