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TEL CLEAN TRACK ACT8（ACT12）涂膠顯影機(jī)

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產(chǎn)品簡介

日本東京電子公司生產(chǎn)的TEL牌涂膠顯影機(jī)CLEANTRACKACT8/12，是有著良好性能和可靠性的半導(dǎo)體微電子生產(chǎn)設(shè)備,是可對(duì)應(yīng)200/300mm硅片生產(chǎn)的涂膠顯影設(shè)備

詳細(xì)介紹

日本東京電子公司生產(chǎn)的TEL牌涂膠顯影機(jī)CLEANTRACK ACT8/12，是有著良好性能和可靠性的半導(dǎo)體微電子生產(chǎn)設(shè)備,是可對(duì)應(yīng)200/300mm硅片生產(chǎn)的涂膠顯影設(shè)備。

半導(dǎo)體制造設(shè)備涂膠顯影機(jī),應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的光刻工藝中，是感光劑(photoresist)的涂布(coat)和顯影(develop)的設(shè)備。在該設(shè)備的涂膠（coat）單元中，硅片上面的感光劑首先被涂布，后被送到曝光設(shè)備里，通過光刻機(jī)將MASK上面圖形投影到硅片上。

接下來,硅片回到涂膠顯影機(jī)的顯影單元中，通過對(duì)硅片表面感光膠噴涂顯影液，使被感光部分的感光劑融化，這樣wafer上就出現(xiàn)了凹凸的圖形。經(jīng)過各種工序重復(fù),最終就形成了細(xì)微而復(fù)雜的集成電路。

設(shè)備各個(gè)單元功能說明

 涂膠顯影機(jī)各單元功能說明


工藝技術(shù)指標(biāo)與要求：

涂膠膜厚均勻性：3sigma 小于 10nm
顯影條寬均勻性：（0.15μmCD 測(cè)試）3sigma 小于 10nm
腔體氨氣濃度：<1ppb（FAB 環(huán)境小于 100ppb 條件下）
CHP 熱板（如果有）：50～200℃(±0.3℃)
產(chǎn)能：60WPH
與曝光機(jī)聯(lián)機(jī)要求:需與曝光機(jī)聯(lián)機(jī)作業(yè)(inline)。


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