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多晶硅人工破碎臺(tái)

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詳細(xì)介紹

一種多晶硅人工破碎臺(tái)

提供一種多晶硅人工破碎臺(tái)，包括：開設(shè)有開孔的破碎臺(tái)面、至少一個(gè)下料漏斗和至少一個(gè)剩料箱，下料漏斗的入口與破碎臺(tái)面的下表面相連，并與所述開孔連通，下料漏斗的出口與剩料箱的開口相對(duì)，其特征在于，破碎臺(tái)面的上表面、下料漏斗的內(nèi)表面和/或剩料箱的內(nèi)表面設(shè)置有聚氨酯PU層。本實(shí)用新型在破碎臺(tái)面的上表面、下料漏斗的內(nèi)表面和/或剩料箱的內(nèi)表面設(shè)置PU層，PU材料不掉渣、不起皮，有良好的強(qiáng)度與硬度，在多晶硅破碎過程中，不會(huì)對(duì)多晶硅表面造成污染，保證產(chǎn)品品質(zhì)，提高太陽能轉(zhuǎn)化效率。另外，PU材料耐磨損，使用壽命長(zhǎng)，而且，吸音性強(qiáng)，在多晶硅破碎過程中能在一定程度上減少噪音。

—種多晶硅人工破碎臺(tái)

本實(shí)用新型涉及多晶娃生產(chǎn)設(shè)備領(lǐng)域,特別是涉及一種多晶娃人工破碎臺(tái)。

【背景技術(shù)】

在多晶硅生產(chǎn)過程中，生產(chǎn)出來的多晶硅棒需進(jìn)入產(chǎn)品整理工序，即經(jīng)轉(zhuǎn)運(yùn)箱搬運(yùn)到多晶硅人工破碎臺(tái)上，由人工將棒狀產(chǎn)品破碎為滿足國(guó)標(biāo)要求的塊狀產(chǎn)品。

傳統(tǒng)的多晶硅破碎平臺(tái)采用不銹鋼、合金等材質(zhì)制成，在與多晶硅接觸過程中會(huì)不同程度的對(duì)多晶娃表面造成污染，造成多晶娃表面金屬雜質(zhì)含量超標(biāo)。而多晶娃表面金屬雜質(zhì)會(huì)在多晶硅下游應(yīng)用中造成硅材料少數(shù)載流子壽命降低。少數(shù)載流子壽命是指非平衡載流子的壽命，該參數(shù)對(duì)太陽能轉(zhuǎn)化效率有很大影響。正是因?yàn)樯贁?shù)載流子壽命對(duì)下游客戶的重要影響，少數(shù)載流子壽命的長(zhǎng)短也決定著多晶硅廠家生產(chǎn)技術(shù)與產(chǎn)品品質(zhì)的優(yōu)劣，因此，如何降低多晶硅表面金屬雜質(zhì)含量也成為多晶硅生產(chǎn)過程中的一個(gè)重要問題。

]因此，亟需一種多晶硅人工破碎臺(tái)以解決上述技術(shù)問題。

新型內(nèi)容

本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述不足，提供一種多晶硅人工破碎臺(tái)，用以解決多晶娃表面金屬雜質(zhì)含量超標(biāo)的問題。

本實(shí)用新型為解決上述技術(shù)問題，采用如下技術(shù)方案:

本實(shí)用新型提供一種多晶硅人工破碎臺(tái)，包括:開設(shè)有開孔的破碎臺(tái)面、至少一個(gè)下料漏斗和至少一個(gè)剩料箱，下料漏斗的入口與破碎臺(tái)面的下表面相連，并與所述開孔連通，下料漏斗的出口與剩料箱的開口相對(duì)，其特征在于，破碎臺(tái)面的上表面、下料漏斗的內(nèi)表面和/或剩料箱的內(nèi)表面設(shè)置有聚氨酯I3U層。

優(yōu)選的，述破碎臺(tái)面呈矩形，在破碎臺(tái)面的四個(gè)角上，豎直向上設(shè)置有四根豎直支架，在四根豎直支架的頂端，兩兩相鄰的豎直支架之間分別水平連接有水平支架。

優(yōu)選的，破碎臺(tái)面的下方形成封閉空間，所述下料漏斗和所述剩料箱容置于所述封閉空間內(nèi)；

所述多晶硅人工破碎臺(tái)還包括:抽風(fēng)機(jī)、抽風(fēng)風(fēng)道和用于向外送風(fēng)的外送風(fēng)風(fēng)道，所述抽風(fēng)機(jī)和外送風(fēng)風(fēng)道設(shè)置于所述破碎臺(tái)面的一側(cè)，所述抽風(fēng)風(fēng)道容置于所述封閉空間內(nèi)，分別與下料漏斗的出口和所述外送風(fēng)風(fēng)道相連，抽風(fēng)機(jī)的抽風(fēng)口與所述外送風(fēng)風(fēng)道相連。

優(yōu)選的，述破碎臺(tái)面的兩個(gè)側(cè)邊上分別設(shè)置有豎直的墻板，每側(cè)的墻板分別固定于該側(cè)的豎直支架上，兩側(cè)的墻板上均設(shè)有側(cè)抽風(fēng)口；

所述多晶硅人工破碎臺(tái)還包括設(shè)置于兩側(cè)的墻板的外側(cè)的側(cè)抽風(fēng)風(fēng)道，所述側(cè)抽風(fēng)風(fēng)道分別與所述側(cè)抽風(fēng)口和所述抽風(fēng)風(fēng)道相連通。

優(yōu)選的，述側(cè)抽風(fēng)口為多個(gè)，所述側(cè)抽風(fēng)口在兩側(cè)的墻板上豎直排列；最上端的側(cè)抽風(fēng)口到所述破碎臺(tái)面的距離為30-40cm。

優(yōu)選的，碎臺(tái)面的四根豎直支架上設(shè)置有導(dǎo)軌；

所述多晶硅人工破碎臺(tái)還包括推拉門和第二推拉門，所述推拉門和第二推拉門的寬度與所述前水平支架和后水平支架的長(zhǎng)度相等，所述推拉門和第二推拉門設(shè)置于所述導(dǎo)軌上；

所述推拉門設(shè)置于所述破碎臺(tái)面的前側(cè)，能夠在破碎臺(tái)面前側(cè)的導(dǎo)軌的導(dǎo)引下上下滑動(dòng)；所述第二推拉門設(shè)置于破碎臺(tái)面的后側(cè)，能夠在破碎臺(tái)面后側(cè)的導(dǎo)軌的導(dǎo)引下上下滑動(dòng)。

優(yōu)選的，述推拉門和第二推拉門采用透明的鋼化玻璃制成。

優(yōu)選的，述開孔為多個(gè)，所述開孔均勻分布于所述破碎臺(tái)面上。

優(yōu)選的，孔的直徑為25mm。

優(yōu)選的，斗的側(cè)壁與水平面呈30度角。

本實(shí)用新型具有如下有益效果:

本實(shí)用新型在破碎臺(tái)面的上表面、下料漏斗的內(nèi)表面和/或剩料箱的內(nèi)表面設(shè)置PU層，I3U材料不掉渣、不起皮，有良好的強(qiáng)度與硬度，在多晶硅破碎過程中，不會(huì)對(duì)多晶硅表面造成污染，保證產(chǎn)品品質(zhì)，提高太陽能轉(zhuǎn)化效率。另外，PU材料耐磨損，使用壽命長(zhǎng)，而且，吸音性強(qiáng)，在多晶硅破碎過程中能在一定程度上減少噪音。

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