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單片濕法刻蝕機AEHETCH

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更新時間：2023-08-20 11:32:06瀏覽次數(shù)：303次

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設備配置 2-4 chamber
設備產(chǎn)能 60WPH（Gu Ti刻蝕）
襯底材質(zhì) Si、SiC、Glass、GaAs、InP
適用工藝 氧化硅/氮化硅刻蝕（SiOx/SiNx etch）、金屬刻蝕/Metal etch(Cu Ti Au Cr Ni etc.)、氧化銦錫/氧化銦鎵鋅（ITO/IGZO）等
工藝指標 介質(zhì)刻蝕均勻性＜5%、金屬刻蝕均勻性＜5%、顆?？刂疲?le;20ea@0.16um）
金屬離子控制（Fe Ca: 5E9 atms/cm2 ；others: 1E10 atms/cm2）
應用領域 IC、功率器件、射頻集成、半導體光學、光通訊、科研
技術特征 ?機臺可實現(xiàn)多尺寸兼容；
?工藝腔體經(jīng)過優(yōu)化設計，提供優(yōu)秀的潔凈度控制；
?可適用多種藥液如SPM(H2SO4:H2O2),SC-1(NH4OH:H2O2:H20),SC-2(HCL:H2O2:H2O) ，HF，HNO3，H3PO4等，最多可實現(xiàn)4種藥液的循環(huán)回收使用；
?可配合使用Nano spray工藝和IPA N2 dry等干燥工藝。
設備尺寸 2560*2513*2500（W*D*H）

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