-----KY-PRM系列
產(chǎn)品特點(diǎn)
l光譜范圍覆蓋200-3600nm
l3dB帶寬可達(dá)40G
l響應(yīng)時(shí)間Min.<>
l集成放大電路
l低噪聲、高增益
lφ20mm外螺紋接光學(xué)天線
l配有M4內(nèi)螺紋固定孔
lDC 12V單電源供電
l結(jié)構(gòu)緊湊47x42x20mm（光纖接口）
47x42x26mm（空間接口）
lSMA輸出
l可以定制
應(yīng)用領(lǐng)域
l皮秒光脈沖探測(cè)
l激光雷達(dá)
l光纖傳感系統(tǒng)
l光學(xué)檢測(cè)
可選項(xiàng)
l帶寬
l增益
l耦合方式
l光學(xué)接口
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
KY-PRM系列低噪聲光探測(cè)模塊集成了高線性度模擬PIN探測(cè)器和低噪聲寬帶跨阻放大器，具有高增益、高靈敏度、交流耦合輸出、增益平坦等特點(diǎn)。模塊供電為正12V，輸入光接口可選光纖接口或者空間入射。光纖接口為單模和多模光纖通用接口；空間入射時(shí)多種光敏面可選，并且標(biāo)配用于外接光學(xué)天線的外螺紋轉(zhuǎn)接件；電信號(hào)由SMA端口輸出，主要應(yīng)用于光學(xué)檢測(cè)、皮秒光脈沖檢測(cè)、激光雷達(dá)及光纖傳感系統(tǒng)等領(lǐng)域。
性能參數(shù)
產(chǎn)品類型 | 紫外光探測(cè)模塊 | Si PIN光探測(cè)模塊 | |||
參數(shù) | KY-PRM-10M-UV | KY-PRM-1G-S | KY-PRM-200M-S | KY-PRM-75M-S | KY-PRM-1M-S |
探測(cè)器類型 | GaN / PIN | Si / PIN | |||
光輸入 | Free Space | Free Space or Fiber | |||
波長(zhǎng)范圍 | 230~390nm | 400~1100nm | |||
峰值響應(yīng)度 | 0.13A/W@350nm | 0.55A/W@850nm | 0.6A/W@905nm | ||
光敏面直徑 | 1 mm | 200um | 800um | ||
帶寬 (3dB) | 10MHz | 30K~1.5GHz | 200MHz | 75MHz | 1MHz |
轉(zhuǎn)換增益* | 20 x 103 V/W@254nm | 1x103@850nm | 20x103 | 30x 103 V/W | 2x 106V/W |
上升時(shí)間 | 35ns | 0.4ns | 1.8ns | 3.5ns | 0.35us |
飽和光功率* | 180uW | 2.5mW | 3.9mW | 120uW | 1.9uW |
耦合方式 | DC耦合 | AC耦合 | DC耦合 | ||
輸出阻抗 | 50W | ||||
等效噪聲功率NEP | 21.1 pW/?Hz | 25.8pW/?Hz | 22pW/?Hz | 16pw/√Hz | 1.8pw/√Hz |
總輸出噪聲電壓* | 8mV | 6mV | 38mV | 25mV | 15mV |
*負(fù)載為高阻時(shí)，如果負(fù)載為50歐姆，對(duì)應(yīng)數(shù)值減半。
產(chǎn)品類型 | InGaAs PIN光探測(cè)模塊（800~1700nm）光纖接口 | |||||
參數(shù) | KY-PRM-BW-I-FC | |||||
探測(cè)器類型 | InGaAs / PIN | |||||
光輸入 | 光纖 | |||||
波長(zhǎng)范圍 | 800~1700nm | |||||
峰值響應(yīng)度 | 0.9A/W@1550nm | |||||
光敏面直徑 | 75um | |||||
帶寬 (3dB) | 10KHz | 10MHz | 100MHz | 200MHz | 500MHz | 30K~1.5GHz |
轉(zhuǎn)換增益*@1550nm | 2.5x106 V/W | 2X105 V/W | 5X104 V/W | 4X104 V/W | 2X103 V/W | 2X103 V/W |
上升時(shí)間 | 30us | 35ns | 3.5ns | 1.8ns | 0.7ns | 0.2ns |
飽和光功率* | 2uW | 18uW | 72uW | 90uW | 1.8mW | 1mW |
耦合方式 | DC耦合 | AC耦合 | ||||
阻抗 | 50W | |||||
等效噪聲功率NEP | 4.2pw/√Hz | 2.4pw/√Hz | 6.7 pw/√Hz | 10.6 pw/√Hz | 15pW/√Hz | 12.9pW/√Hz |
總輸出噪聲電壓* | 2mV | 9mV | 20mV | 36mV | 4mV | 6mV |
*負(fù)載為高阻時(shí)，如果負(fù)載為50歐姆，對(duì)應(yīng)數(shù)值減半。
產(chǎn)品類型 | InGaAs PIN光探測(cè)模塊（400~1700nm）空間光 | |||
型號(hào) | KY-PRM-200M-I1 | KY-PRM-100M-I1 | KY-PRM-BW-I-FS | |
探測(cè)器類型 | InGaAs / PIN | InGaAs / PIN | ||
光輸入 | 空間/光纖 | Free space | ||
波長(zhǎng)范圍 | 400~1700nm | 800~1700nm | ||
峰值響應(yīng)度 | 0.9A/W@1550nm | 0.9A/W@1550nm | ||
光敏面直徑 | 100um | 1mm | 200um | 500um |
帶寬 (3dB) | 200MHz | 75MHz | 200MHz | 150MHz |
轉(zhuǎn)換增益* | 1x104 V/W @1550nm 2.5x103 V/W @650nm | 2x104 V/W @1550nm 7x103 V/W @650nm | 20K V/W @ 1550 nm | 20K V/W @1550nm |
上升時(shí)間 | 2.4ns | 4.7ns | 2.4ns | 3.5ns |
飽和光功率* | 360uW | 180uW | 180uW | 180uW |
耦合方式 | DC耦合 | |||
阻抗 | 50W 50W | |||
等效噪聲功率NEP | 14.1 pw/√Hz | 14.3 pw/√Hz | 11.8 pw/√Hz | 10.9 pw/√Hz |
總輸出噪聲電壓* | 12 mV | 15 mV | 20mV | 16mV |
*負(fù)載為高阻時(shí)，如果負(fù)載為50歐姆，對(duì)應(yīng)數(shù)值減半。
產(chǎn)品類型 | InGaAs 長(zhǎng)波長(zhǎng)PIN光探測(cè)模塊（800~3600nm） | |||
參數(shù) | KY-PRM-BW-I2 | KY-PRM-BW-I3 | KY-PRM-BW-I4 | KY-PRM-200M-I5 |
探測(cè)器類型 | InGaAs / PIN | |||
光輸入 | 空間/光纖 | |||
波長(zhǎng)范圍 | 800~2100nm | 800-2400nm | 800~2600nm | 1500~3600nm |
峰值響應(yīng)度 | 1.2A/W@1900nm | 1A/W@2100nm | 1.3A/W@2300nm | 1.0A/W@3200nm |
光敏面直徑 | 1mm | 80um | 1mm | 80um |
帶寬 (3dB) | 10 MHz | 150MHz | 10MHz | 150MHz |
轉(zhuǎn)換增益* | 30K V/W @1900nm | 30K V/W @2100nm | 30k V/W@2300nm | 30x103V/W@3200nm |
上升時(shí)間 | 35ns | 1.8ns | 35ns | 1.8ns |
飽和光功率* | 100uW | 120uW | 100uW | 120uW |
耦合方式 | DC耦合 | |||
阻抗 | 50W | |||
等效噪聲功率NEP | 21.1 pw/√Hz | 14.5 pw/√Hz | 28 pw/√Hz | 14.5 pw/√Hz |
總輸出噪聲電壓* | 12 mV | 32mV | 16 mV | 32mV |
*負(fù)載為高阻時(shí)，如果負(fù)載為50歐姆，對(duì)應(yīng)數(shù)值減半。
典型光譜圖
GaN 紫外光探測(cè)模塊
400-1100nm Si 光探測(cè)模塊
800-1700nm InGaAs光探測(cè)模塊
800-2400nm長(zhǎng)波長(zhǎng)InGaAs光探測(cè)模塊
1500-3600nm 長(zhǎng)波長(zhǎng)InGaAs光探測(cè)模塊
機(jī)械尺寸（單位：mm）
光纖輸入類型
空間光輸入類型
