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電源設(shè)計(jì)的技術(shù)
Q1:如何來(lái)評(píng)估一個(gè)系
統(tǒng)的電源需求
Answer:對(duì)于一個(gè)實(shí)際
的電子系統(tǒng),要認(rèn)真的
分析它的電源需求。不
僅僅是關(guān)心輸入電壓、
輸出電壓和電流,還要
仔細(xì)考慮總的功耗、電
源實(shí)現(xiàn)的效率、電源部
分對(duì)負(fù)載變化的瞬態(tài)響
應(yīng)能力、關(guān)鍵器件對(duì)電
源波動(dòng)的容忍范圍以及
相應(yīng)的允許的電源紋波
,還有散熱問(wèn)題等等。
功耗和效率是密切相關(guān)
的,效率高了,在負(fù)載
功耗相同的情況下總功
耗就少,對(duì)降低整個(gè)系
統(tǒng)的功率預(yù)算就非常有
利了(對(duì)比LDO和開(kāi)關(guān)
電源,開(kāi)關(guān)電源的效率
要高一些)。值得注意
的是,評(píng)估效率不僅僅
是看在滿(mǎn)負(fù)載的時(shí)候電
源電路的效率,還要關(guān)
注輕負(fù)載的時(shí)候效率水
平[2] 。
至于負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)能力
,對(duì)于一些高性能的
CPU應(yīng)用就會(huì)有嚴(yán)格的
要求,因?yàn)楫?dāng)CPU突然
開(kāi)始運(yùn)行繁重的任務(wù)時(shí)
,需要的啟動(dòng)電流是很
大的,如果電源電路響
應(yīng)速度不夠,造成瞬間
電壓下降過(guò)多,導(dǎo)致
CPU運(yùn)行出錯(cuò)。
一般來(lái)說(shuō),要求的電源
實(shí)際值多為標(biāo)稱(chēng)值的±
5%,所以可以據(jù)此計(jì)算
出允許的電源紋波,當(dāng)
然要預(yù)留余量的。
散熱問(wèn)題對(duì)于那些大電
流電源和LDO來(lái)說(shuō)比較
重要,通過(guò)計(jì)算也是可
以評(píng)估是否合適的。
Q2:如何選擇合適的電
源實(shí)現(xiàn)電路
Answer:根據(jù)分析系統(tǒng)
需求得出的具體技術(shù)指
標(biāo),可以來(lái)選擇合適的
電源實(shí)現(xiàn)電路了。一般
弱電部分,包括了LDO
(線(xiàn)性電源轉(zhuǎn)換器)、
開(kāi)關(guān)電源電容降壓轉(zhuǎn)換
器和開(kāi)關(guān)電源電感電容
轉(zhuǎn)換器。相比之下,
LDO設(shè)計(jì)zui易實(shí)現(xiàn)、輸
出紋波小,但缺點(diǎn)是效
率有可能不高、發(fā)熱量
大、可提供的電流相較
開(kāi)關(guān)電源不大等等。而
開(kāi)關(guān)電源電路設(shè)計(jì)靈活
、效率高,但存在紋波
大、實(shí)現(xiàn)比較復(fù)雜、調(diào)
試比較煩瑣等缺點(diǎn)。
Q3:如何為開(kāi)關(guān)電源電
路選擇合適的元器件和
參數(shù)
Answer:很多的未使用
過(guò)開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的工程
師會(huì)對(duì)它產(chǎn)生一定的畏
懼心理,比如擔(dān)心開(kāi)關(guān)
電源的干擾問(wèn)題、PCB
layout問(wèn)題、元器件的
參數(shù)和類(lèi)型選擇問(wèn)題等
。其實(shí)只要了解了,使
用一個(gè)開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)還
是非常方便的。
一個(gè)開(kāi)關(guān)電源一般包含
有開(kāi)關(guān)電源控制器和輸
出兩部分,有些控制器
會(huì)將MOSFET集成到芯片
中去,這樣使用就更簡(jiǎn)
單了,還簡(jiǎn)化了PCB設(shè)
計(jì),但是設(shè)計(jì)的靈活性
就減少了一些。
開(kāi)關(guān)控制器基本上就是
一個(gè)閉環(huán)的反饋控制系
統(tǒng),一般都會(huì)有一個(gè)反
饋輸出電壓的采樣電路
以及反饋環(huán)的控制電路
。因此這部分的設(shè)計(jì)在
于保證精確的采樣電路
、控制反饋深度,因?yàn)?/p>
如果反饋環(huán)響應(yīng)過(guò)慢的
話(huà),對(duì)瞬態(tài)響應(yīng)能力是
會(huì)有很多影響的。
而輸出部分設(shè)計(jì)包含了
輸出電容、輸出電感以
及MOSFET等等,這些元
件的選擇基本上要滿(mǎn)足
一個(gè)性能和成本的平衡
:高的開(kāi)關(guān)頻率就可以
使用小的電感值(意味
著小的封裝和便宜的成
本),但是較高的開(kāi)關(guān)
頻率會(huì)增加干擾和增大
MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗,使
效率降低;低的開(kāi)關(guān)頻
率帶來(lái)的結(jié)果則恰好相
反。
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