低真空化學氣相沉積設備（LPCVD）是一種化學氣相沉積技術，利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅氣體的反應。表面的反應是形成固化材料的原因。低真空用於減少氣相反應，還可以提高整個基板的均勻性。除此之外，該過程取決於溫度控制，過程溫度越高，維持性越好。與大氣壓下的傳統(tǒng)CVD製程相比，LPCVD的優(yōu)勢在於：每批製程可裝載更多的晶圓（每批100-200個晶圓）、晶圓內的厚度均勻性得到了改善（<±3％），並且降低生產成本。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準的控制製程氣體與監(jiān)控其數據(壓力、載臺溫度)，並提供高品質的薄膜。

低真空化學氣相沉積設備參數