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北京瑞科中儀科技有限公司
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電漿輔助式化學(xué)氣相沉積設(shè)備

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簡要描述：電漿輔助式化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種使用電漿的化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)，可為沉積反應(yīng)提供一些能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比，PECVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會(huì)降低薄膜質(zhì)量。

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電漿輔助式化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD）是一種使用電漿的化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)，可為沉積反應(yīng)提供一些能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比，PECVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會(huì)降低薄膜質(zhì)量。

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電漿輔助式化學(xué)氣相沉積設(shè)備PECVD比半導(dǎo)體行業(yè)中的其他CVD技術(shù)更廣泛地使用，且可以在較低的工作溫度（低於350°C）下沉積薄膜，並具有不同形狀的均勻沉積與良好的覆蓋率。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制製程氣體與監(jiān)控其數(shù)據(jù)(壓力、載臺(tái)溫度)，並提供高品質(zhì)的薄膜。

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我們也開發(fā)不同機(jī)器但共用零組件，以達(dá)到節(jié)省成本。

應(yīng)用領(lǐng)域腔體

  • 電漿清洗。

  • SiOx、SiNx、a-Si、DLC和其他薄膜。

  • 防刮顯示屏。

  • 醫(yī)療和商業(yè)產(chǎn)品的耐磨薄膜。

  • 封裝，絕緣層。

  • 鋁或不銹鋼腔體或石英腔，佔(zhàn)地面積小。

  • 通過使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加

    熱器包來控制腔體溫度。



配置和優(yōu)點(diǎn)選件

  • 客製化的基板尺寸，直徑可達(dá)12

    寸晶圓。

  • 單載片或多載片。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。

  • 精準(zhǔn)流量控制器，氣體分佈高度均勻，最多可擴(kuò)充10條氣體管線。

  • 穩(wěn)定的溫度控制，可將載盤加熱至400°C。

  • 使用電容式耦合電漿（CCP）。

  • 可以與傳送腔、機(jī)械手臂和手套

    箱整合在一起。

  • RPS用於腔體清潔。

  • 發(fā)射光譜儀。

  • 高真空傳送系統(tǒng)。



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