武漢茂迪科技有限公司
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| 參 考 價 | 面議 |
產(chǎn)品型號Keithley 4200A-SCS
品 牌
廠商性質(zhì)其他
所 在 地武漢市
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更新時間：2024-02-17 11:20:54瀏覽次數(shù)：106次
聯(lián)系我時，請告知來自 包裝印刷網(wǎng)使用4200A-SCS加快半導體設備、材料和工藝開發(fā)的探索、可靠性和故障分析研究
使用 4200A-SCS 加快半導體設備、材料和工藝開發(fā)的探索、可靠性和故障分析研究。 性能參數(shù)分析儀，提供同步電流-電壓 (I-V)、電容-電壓 (C-V) 和超快脈沖 I-V 測量。
使用 4200A-SCS 加快半導體設備、材料和工藝開發(fā)的探索、可靠性和故障分析研究。 性能參數(shù)分析儀，提供同步電流-電壓 (I-V)、電容-電壓 (C-V) 和超快脈沖 I-V 測量。
參數(shù)查看，快速清晰。
大膽發(fā)現(xiàn)從未如此容易。 4200A-SCS 參數(shù)分析儀可將檢定和測試設置的復雜程度降低高達 50%，提供清晰且不折不扣的測量和分析功能。 另外，嵌入式測量專業(yè)知識（業(yè)界）可提供測試指南并讓您對結果充滿信心。
特點
測量、 切換、 重復。
4200A-CVIV 多通道切換模塊自動在 I-V 和 C-V 測量之間切換，無需重新布線或抬起探頭端部。 與競爭產(chǎn)品不同，四通道 4200A-CVIV 顯示器提供本地可視查看，可快速完成測試設置，并在出現(xiàn)意想不到的結果時輕松排除故障。
特點
檢定、 自定義、 。
簡單地說，4200A-SCS 可以自定義且全面升級，您可以對半導體設備、新材料、有源/無源組件、晶片級可靠性、故障分析、電化學或幾乎任何類型的樣本執(zhí)行電氣檢定和評估。
特點
帶分析探測器和低溫控制器的集成解決方案。
4200A-SCS 參數(shù)分析儀支持許多手動和半自動晶片探測器和低溫控制器，包括 Cascade MicroTech、Lucas Labs/Signatone、MicroManipulator、Wentworth Laboratories、LakeShore Model 336 低溫控制器。
特點
降低成本并保護您的投資
吉時利保障計劃以按需服務事件的一小部分成本提供快速、高質(zhì)量的服務。 只需點擊一下或一個電話即可獲得維修服務，在此過程中，無需報價或填寫采購單，也不會有審批延誤。
| 型號 | 說明 |
|---|---|
| 4200A-SCS-PK1 高分辨率 IV 套件 | 210V/100mA，0.1 fA 分辨率 對于兩端和三端設備，MOSFET、CMOS 檢定套件4200A-SCS-PK1 包括：
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| 4200A-SCS-PK2 高分辨率 IV 和 CV 套件 | 210V/100mA，0.1 fA 分辨率，1kHz - 10MHz 對于高 K 電解質(zhì)，深亞微米 CMOS 檢定套件4200A-SCS-PK2 包括：
|
| 4200A-SCS-PK3 高分辨率和高功率 IV 和 CV 套件 | 210V/1A，0.1 fA 分辨率，1kHz - 10MHz 對于功率設備、高 K 電解質(zhì)，深亞微米 CMOS 設備檢定套件4200A-SCS-PK3 包括：
|
| 4200-BTI-A 超快 NBTI/PBTI 套件 | 用于使用 CMOS 技術套件進行復雜的 NBTI 和 PBTI 測量4200-BTI-A 包括：
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半導體可靠性
在執(zhí)行復雜的可靠性測試時，4200A-SCS 可以幫您處理復雜的編碼工作。 內(nèi)含熱載波注入劣化 (HCI) 等項目，使您能夠快速開始設備分析。
特點
提供適合高阻抗應用的 C-V 測量功能
采用 Keithley 的自定義極低頻 C-V 技術分析高電阻樣本的電容。 該技術可通過僅使用源測量單元 (SMU) 儀器實現(xiàn)應用，同時可與 4210-CVU 結合使用，執(zhí)行更高頻率測量。
特點
非易失內(nèi)存
通過全面脈沖 I-V 檢定在測試中利用新技術。 4200A-SCS 為 NVRAM 技術提供支持和即用型測試，從浮動門電路閃存到 ReRAM 和 FeRAM，不一而足。 電流和電壓雙源和測量功能同時支持瞬態(tài)和 I-V 域檢定。
VCSEL 測試
4200A-SCS 中的多個并行源測量單元 (SMU) 儀器可簡化激光二極管測試。 僅使用一臺機器連接即可生成 LIV（光強-電流-電壓）曲線。 高級探頭站和開關支持使您能夠使用相同的儀器對單個二極管或整個陣列進行晶圓生產(chǎn)測試。 SMU 可配置為高達 21 W 容量，適用于多種連續(xù)波 (CW) VCSEL 應用。
納米級設備檢定
4200A-SCS 的集成儀器功能可簡化碳納米管等納米級電子器件開發(fā)方面的測量要求。 從預配置測試項目開始著手，逐步擴大您的研究工作范圍。 SMU 的脈沖源模式可幫助緩解過熱問題，數(shù)秒內(nèi)即可完成與低電壓 C-V 和超快速脈沖直流測量的組合。
材料電阻率
使用集成了 SMU 的 4200A-SCS，可通過四點同軸探頭或范德堡法輕松測量電阻率。內(nèi)含測試可自動重復執(zhí)行范德堡計算，節(jié)省您寶貴的研究時間。10aA 的電流分辨率和大于 10----16 歐姆的輸入阻抗可提供更準確和精準的結果。
MOSFET 檢定
4200A-SCS 可容納所有必要的儀器，用于通過組件或晶圓測試執(zhí)行全面的 MOS 設備檢定。 內(nèi)含測試和項目可以解決 MOSCap 的氧化物厚度、門限電壓、摻雜濃度、移動離子濃度等問題。 只需觸摸一個儀器盒中的按鈕，即可運行所有這些測試。
| 模塊 | 說明 |
|---|---|
| 4200-BTI-A | 超快速 BTI 包 |
| 4200-PA | 遠程預放大器模塊 |
| 4200-SMU | 中功率源測量單位 |
| 4200A-CVIV | I-V/C-V 多開關模塊 |
| 4210-CVU | 電容-電壓單位 |
| 4210-SMU | 大功率源測量單元 |
| 4220-PGU | 高電壓脈沖發(fā)生器單元 |
| 4225-PMU | 超快速脈沖測量單位 |
| 4225-RPM | 遠程預放大器/開關模塊 |
| 4200-SMU-R | 可現(xiàn)場更換的 MPSMU |
| 4210-SMU-R | 可現(xiàn)場更換的 HPSMU |
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