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全向電場探頭測試TEM小室

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產(chǎn)品型號TBTC

品       牌

廠商性質(zhì)其他

所  在  地深圳市

更新時間:2024-11-14 02:46:35瀏覽次數(shù):69次

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開放式TEM橫電波小室TBTC EMC電磁兼容輻射騷擾測試或抗擾度測試通常在電磁屏蔽室中進(jìn)行,使用天線接收輻射信號。由于帶寬限制,需要多個天線才能覆蓋整個頻率范圍。此外,屏蔽暗室需要很大的空間場地,并且用于標(biāo)準(zhǔn)一致性測試的設(shè)備成本很高中小型企業(yè)的工程師通常必須依靠工作經(jīng)驗和實踐方法來設(shè)計符合EMC的產(chǎn)品。但是,據(jù)估計,有超過50%的產(chǎn)品在測試中未通過。當(dāng)新產(chǎn)品送至認(rèn)證實驗室進(jìn)行合規(guī)性測試時,測試失敗具有非常高的成本,不僅重新測試成本,同時項目進(jìn)度和市場推廣也被推遲。 因此需要的是一個價格合理的實驗室,可以在合規(guī)性測試之前工程師自己在實驗室中進(jìn)行輻射騷擾預(yù)測試。TEM單元是用于桌面輻射騷擾測試的設(shè)備,Tekbox開發(fā)的開放式TEM單元,頻率覆蓋高達(dá)2GHz范圍,即使在更高的頻率(6GHz)下也具有可用性。

開放式TEM橫電波小室TBTC

概述

     EMC電磁兼容輻射騷擾測試或抗擾度測試通常在電磁屏蔽室中進(jìn)行,使用天線接收輻射信號。由于帶寬限制,需要多個天線才能覆蓋整個頻率范圍。此外,屏蔽暗室需要很大的空間場地,并且用于標(biāo)準(zhǔn)一致性測試的設(shè)備成本很高。
    中小型企業(yè)的工程師通常必須依靠工作經(jīng)驗和實踐方法來設(shè)計符合EMC的產(chǎn)品。但是,據(jù)估計,有超過50%的產(chǎn)品在測試中未通過。當(dāng)新產(chǎn)品送至認(rèn)證實驗室進(jìn)行合規(guī)性測試時,測試失敗具有非常高的成本,不僅重新測試成本,同時項目進(jìn)度和市場推廣也被推遲。
    因此需要的是一個價格合理的實驗室,可以在合規(guī)性測試之前工程師自己在實驗室中進(jìn)行輻射騷擾預(yù)測試。TEM單元是用于桌面輻射騷擾測試的設(shè)備,Tekbox開發(fā)的開放式TEM單元,頻率覆蓋高達(dá)2GHz范圍,即使在更高的頻率(6GHz)下也具有可用性。
    TEM單元可與頻譜分析儀結(jié)合使用,可以對產(chǎn)品EMC相關(guān)的設(shè)計修改前后對產(chǎn)品進(jìn)行驗證測試。TEM Cell裝置無法得到與經(jīng)過認(rèn)證的實驗室測量相同的測量結(jié)果,但是它能很好的表明產(chǎn)品設(shè)計是否有輻射騷擾,工程師將清楚地看到輻射情況,它所做的是產(chǎn)品更改是否改善了EMC性能,或者它是否保持不變。使用TEM單元消除了對產(chǎn)品輻射騷擾的猜測。

TEM單元是用于電子設(shè)備的輻射發(fā)射和抗擾度測試的帶狀線設(shè)備。由于其尺寸和成本,它不是認(rèn)證測試實驗室的替代品,它是在實驗室中進(jìn)行測量的便捷替代方法。

TEM單元由隔板,中間部分的導(dǎo)電條和接地的壁組成。呈現(xiàn)為幾何形狀設(shè)計的50Ω帶狀線。被測設(shè)備(DUT)放置在底壁和隔板之間。

TBTC1 / 2/3是開放式TEM單元,它沒有側(cè)壁,便于放置DUT。沒有側(cè)壁可能會拾取環(huán)境背景噪聲,但是可以通過在DUT上電之前對單元輸出信號進(jìn)行測量環(huán)境噪音來將其考慮在內(nèi)。


TEM Cell用于EMC一致性預(yù)測試---輻射抗擾度

抗擾度測試由射頻信號發(fā)生器輸出經(jīng)射頻放大器后連接TEM單元,隔板將射頻信號輻射到DUT中,射頻信號通常是調(diào)幅(AM)或脈沖調(diào)制

與同等尺寸標(biāo)準(zhǔn)TEM單元相比,Tekbox開放式TEM單元具有更好的頻率響應(yīng)。TEM單元的高階波模式的限制可用帶寬。Tekbox TEM單元的設(shè)計實現(xiàn)了垂直于所需波傳播方向的電阻。因此,高階波和共振被抑制。
   所有TEM單元都提供50Ω/25W射頻終端負(fù)載和直流塊,用于保護(hù)頻譜分析儀或接收機(jī)輸入

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抗擾度完整解決方案

頻譜分析儀:可以使用普源DSA815、鼎陽SSA3021X,VSA6G2A或其他品牌,也可使用二手頻譜儀(如N9020A)

射頻功率放大器:我們Tekbox提供了一系列調(diào)制功率放大器,非常適合進(jìn)行低成本的抗擾度測試。如:TBMDA1(40M-3G)、TBHDR1(30K-1.5G)等。這些放大器內(nèi)置調(diào)制器以生成所需的調(diào)制格式,由頻譜分析儀的跟蹤源輸出驅(qū)動,因此可以不投資RF信號發(fā)生器.

根據(jù)選擇的調(diào)制信號放大器以及TEM單元,通過這種設(shè)置可以產(chǎn)生高達(dá)幾百伏的場強(qiáng),更多信息請參

考調(diào)制放大器的數(shù)據(jù)表。

考慮到電場與隔板正交,要考慮DUT測試最壞的情況,請將其定位在TEM單元內(nèi),使PCB跡線垂直與隔

板方向,使其暴露場強(qiáng)下.

 

TBTC0,應(yīng)用射頻功率

隔板與壁之間的場強(qiáng)

10W(40dBm)

799 V/m

1W(30dBm)

253 V/m

0.1W(20dBm)

82 V/m

0.01W(10dBm)

25 V/m

TBTC0 ,場強(qiáng)與射頻功率

 

TBTC1,應(yīng)用射頻功率

隔板與壁之間的場強(qiáng)

10W(40dBm)

447 V/m

1W(30dBm)

141 V/m

0.1W(20dBm)

44 V/m

0.01W(10dBm)

14 V/m

TBTC1 ,場強(qiáng)與射頻功率

 

TBTC2,應(yīng)用射頻功率

隔板與壁之間的場強(qiáng)

10W(40dBm)

224 V/m

1W(30dBm)

71 V/m

0.1W(20dBm)

22 V/m

0.01W(10dBm)

7 V/m

TBTC2 ,場強(qiáng)與射頻功率

TBTC3,應(yīng)用射頻功率

隔板與壁之間的場強(qiáng)

10W(40dBm)

148 V/m

1W(30dBm)

47 V/m

0.1W(20dBm)

14 V/m

0.01W(10dBm)

5 V/m

TBTC3 ,場強(qiáng)與射頻功率


TEM Cell用于EMC一致性預(yù)測試---輻射騷擾

TEM單元與頻譜分析儀或接收機(jī)配合使用,可以對產(chǎn)品EMC相關(guān)整改前后對產(chǎn)品進(jìn)行測試驗證,工程師可以清楚的看到整改效果.

技術(shù)指標(biāo)

TBTC0

長度

390 mm

寬度

100 mm

高度

62 mm

隔墊高度

28 mm

隔墊下方矩形區(qū)域尺寸

19×7×2.8 cm

連接器

N型-母

單元阻抗

50

阻抗

377

射頻輸入功率

10W (受提供50端接空限制)

輸入回波損耗

S11 @ 3.15G <   -1.5dB

傳輸損耗

3G < 3dB, 6G < 4dB

TBTC1

長度

390 mm

寬度

200 mm

高度

108 mm

隔墊高度

50 mm

隔墊下方矩形區(qū)域尺寸

19×13×5 cm

連接器

N型-母

單元阻抗

50

阻抗

377

射頻輸入功率

25W (受提供50端接空限制)

輸入回波損耗

S11 @ 1.2G<-20dB;2.1G<-17dB;

3G<-14dB

傳輸損耗

1.4G<1dB, 2.1G<3dB,3G<6dB

TBTC2

長度

636 mm

寬度

300 mm

高度

205 mm

隔墊高度

100 mm

隔墊下方矩形區(qū)域尺寸

23×28×10 cm

連接器

N型-母

單元阻抗

50

阻抗

377

射頻輸入功率

25W (受提供50端接空限制)

輸入回波損耗

S11 @ 800MHz<-15dB;1.5G<-10dB;

3G<-8dB

傳輸損耗

800MHz<1dB, 1.15G<3dB

TBTC3

長度

1038 mm

寬度

501 mm

高度

305 mm

隔墊高度

150 mm

隔墊下方矩形區(qū)域尺寸

36×48×15 cm

連接器

N型-母

單元阻抗

50

阻抗

377

射頻輸入功率

25W (受提供50端接空限制)

輸入回波損耗

S11 @ 700MHz<-16dB;

傳輸損耗

730MHz<3dB

DC-Block  50V-6GHz-N

連接器

N-Male / Female

標(biāo)稱阻抗

50

連續(xù)射頻功率

 2W

連續(xù)射頻電壓

50V RMS

頻率

500KHz – 6GHz

VSWR

≤ 1.2

插入損耗

MHz 0.3  0.7   1     10   100   1000    3000

dB  7.5   3      1.5  0.02  0.02    0.06   0.2



RF終端 50Ω-3GHz-25W-N

連接器

N

標(biāo)稱阻抗

50

連續(xù)射頻功率

25W

頻率

DC-3GHz

VSWR

≤1.2

三階互調(diào)

≤120dBc

RF終端 50Ω-6GHz-10W-N

連接器

N

標(biāo)稱阻抗

50

連續(xù)射頻功率

10W

頻率

DC-6GHz

VSWR

≤1.2

三階互調(diào)

≤120dBc

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