TBMDA3調(diào)制功率放大器10M-1G

TBMDA3調(diào)制功率放大器10M-1G的設(shè)計(jì)是為了用于電子構(gòu)件和產(chǎn)品抗擾度測(cè)試的廉價(jià)信號(hào)源。它被設(shè)計(jì)為由頻譜分析儀的跟蹤發(fā)生器輸出驅(qū)動(dòng)。它可以提高跟蹤源的輸出功率高達(dá)5W。

TBMDA3調(diào)制功率放大器也是驅(qū)動(dòng)Tekbox近場探頭的理想選擇，以便查找電子電路板的敏感點(diǎn)。同時(shí)可驅(qū)動(dòng)Tekbox TBTC0 TEM小室內(nèi)部產(chǎn)生高達(dá)550 V/m的電場，驅(qū)動(dòng)TBTC1時(shí)內(nèi)部產(chǎn)生300 V/m電場，驅(qū)動(dòng)TBTC2時(shí)內(nèi)部產(chǎn)生150 V/m電場，驅(qū)動(dòng)TBTC3時(shí)內(nèi)部產(chǎn)生100 V/m電場。用于抗擾測(cè)試信號(hào)可以是CW，AM或PM。因此，TBMDA2提供了內(nèi)置的調(diào)制能力，生成1 kHz AM或PM信號(hào)。在PM模式下，TBMDA2還可以產(chǎn)生具有12.5% 占空比的217Hz信號(hào)，模擬的TDMA噪聲。

特點(diǎn):

n  CW波連續(xù)放大器（調(diào)制關(guān)閉）

n  1 kHz，80％AM調(diào)制

n  1 kHz，50％占空比脈沖調(diào)制

n  217 Hz，12.5％占空比脈沖調(diào)制增益

技術(shù)指標(biāo)

n  頻率范圍：                 10MHz- 1G                             

n  輸入功率：             +3dBm                    

n  射頻接口：                 N型 ，50Ω

n  1dB輸出壓縮點(diǎn)@ 10MHz：  + 36dBm

n  1 dB輸出壓縮點(diǎn)@ 100MHz： + 37dBm

n  1 dB輸出壓縮點(diǎn)@ 500MHz： + 36dBm

n  1 dB輸出壓縮點(diǎn)@ 1GHz：    + 34dBm

n  諧波：                     ＜ -10dBc

n  內(nèi)部調(diào)制頻率AM：          1 kHz±10％

n  內(nèi)部調(diào)制頻率PM：          1 kHz±10％，217 Hz±20％

n  占空比，PM：              50％±10％@ 1 kHZ; 217 Hz時(shí)為12.5％±20％  

n  供電電壓：                 110-240V @ AC       

n  供電功耗：                 20W

n  工作溫度：                 -20℃ ~ +50℃

增益

應(yīng)用：

n  通用增益模塊

n  驅(qū)動(dòng)近場探頭/天線

n  驅(qū)動(dòng)TEM小室

標(biāo)準(zhǔn)配置：

放大器、測(cè)試線-25cm、測(cè)試線-75cm、轉(zhuǎn)接頭、USB線纜、數(shù)據(jù)圖