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卓知科儀（北京）技術(shù)有限公司


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用于自由空間耦合THZ發(fā)射器和探測(cè)器

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THZ發(fā)射極和THZ探測(cè)器由一個(gè)在砷化鎵基片上制作的微帶光電導(dǎo)天線（PCA）組成。根據(jù)泵浦激光波長(zhǎng)，低溫生長(zhǎng)的砷化鎵（lt-gaas）或Gabias用作光電導(dǎo)體。表面采用普通金屬化工藝形成共面赫茲偶極天線結(jié)構(gòu)。光電導(dǎo)天線的幾何結(jié)構(gòu)，以及光電導(dǎo)外延層的特性都經(jīng)過(guò)了優(yōu)化，以獲得的THZ輻射輸出效率，同時(shí)保持的帶寬。因此，當(dāng)輸出功率為30 mW且脈沖持續(xù)時(shí)間小于150 fs時(shí)，典型的THZ輻射功率超過(guò)10μW。探測(cè)系統(tǒng)的帶寬超過(guò)700千兆赫，可用光譜范圍為0.1-5太赫茲。

詳細(xì)介紹

【概述】

由高密度硅制成，安裝在X-Y級(jí)。Teravil提供兩種標(biāo)準(zhǔn)類型的透鏡：用于準(zhǔn)直或發(fā)散THZ光束輸出。在第二種情況下，PCA被放置在硅透鏡的再生點(diǎn)，這可以減少THZ光束的球面像差。

THZ發(fā)射器或探測(cè)器由面板側(cè)的激光束照亮。激光束必須聚焦在兩個(gè)電極之間（圖1）。金屬觸點(diǎn)之間的間隙類似于探測(cè)器外殼中的激光光斑直徑，而發(fā)射器外殼中的激光光斑直徑更大。THZ輻射由集成透鏡收集。

調(diào)整螺釘用于將硅透鏡定位到PCA中心。外殼背面的SMA插座用于將直流或交流偏壓連接到THZ發(fā)射器，并將鎖

定放大器輸入連接到THZ檢測(cè)器。三個(gè)M6孔中的任何一個(gè)可用于安裝在光學(xué)臺(tái)上的THZ發(fā)射器。

1.jpg

【特征】

  • 基于LT-GaAs或GaBiAs光電導(dǎo)材料

  • 針對(duì)800 nm或1060 nm左右的波長(zhǎng)進(jìn)行了優(yōu)化

  • 光譜范圍廣，噪音低

  • 亞皮秒時(shí)間分辨率

  • 隨附技術(shù)護(hù)照和測(cè)試報(bào)告

【應(yīng)用領(lǐng)域】

  • 時(shí)間分辨寬帶太赫茲光譜

  • 光學(xué)泵浦-THz探針光譜

  • 太赫茲成像


模型

發(fā)射器

探測(cè)器


EMT-08

EMT-10

DET-08

DET-10


光電導(dǎo)天線

光導(dǎo)材料

LT-GaAs

GaBiAs

LT-GaAs

GaBiAs

晶圓的尺寸

5 × 1.5 mm

厚度

600 µm

天線類型

帶狀線

偶級(jí)

偏壓

50 V, 典型值40 V

±12 V

中心太赫茲頻率

~0.5 THz

0.5 THz

檢測(cè)到太赫茲帶寬

–

up to 5 THz

集成聚焦鏡頭

材料

HRFZ-silicon

幾何形式

超半球

太赫茲光束輸出

準(zhǔn)直或發(fā)散

–

X-Y 可調(diào)節(jié)平臺(tái)范圍

±3 mm

泵浦光束參數(shù)

激發(fā)波長(zhǎng)

800±40 nm

1060±40 nm

800±40 nm

1060±40 nm

平均功率

<50 mW

<20 mW

<50 mW

<20 mW

脈沖持續(xù)時(shí)間

<150 fs

脈沖重復(fù)頻率

20-100 MHz

光束輪廓

接近高斯

光束直徑

~2 mm


描述

模型

注釋

用于800nm波長(zhǎng)太赫茲發(fā)射器

EMT-8

包括Si鏡頭和帶BNC連接器的同軸電纜

用于800nm波長(zhǎng)的太赫茲探測(cè)器

DET-8

I包括Si鏡頭和帶BNC連接器的同軸電纜

用于1060nm波長(zhǎng)太赫茲發(fā)射器

EMT-10

包括Si鏡頭和帶BNC連接器的同軸電纜

用于1060nm波長(zhǎng)的太赫茲探測(cè)器

EMT-10

包括Si鏡頭和帶BNC連接器的同軸電纜

太赫茲發(fā)射器/探測(cè)器安裝平臺(tái)

MNT

包括XYZ平臺(tái)上的泵浦光束聚焦鏡頭

TMS-100M偏置電源

TMS-100

30 - 70 V DC或方波輸出


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