薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品特點(diǎn)
不直接測(cè)量溫度變化,而是通過(guò)測(cè)量材料在導(dǎo)熱過(guò)程中溫度的變化轉(zhuǎn)換為的電信號(hào)的變化來(lái)實(shí)現(xiàn)微/納米薄膜材料的熱導(dǎo)率,微伏級(jí)電壓值,保證測(cè)量結(jié)果的高精確度。
采用交流電加熱方式,同時(shí)選擇并優(yōu)化設(shè)計(jì)加熱電極的形狀與尺寸,可保證加熱均勻性及測(cè)試應(yīng)用的廣泛性、準(zhǔn)確性與穩(wěn)定性。
待測(cè)薄膜樣品金屬尺寸極小,能有效減小黑體輻射引起的測(cè)量誤差。
友好的軟件界面。
薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試實(shí)例
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常溫下不同電流時(shí),SiO2薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試結(jié)果 | 相同溫度下,不同厚度GeTe/Bi2Te3 超晶格熱導(dǎo)率測(cè)試結(jié)果 |
薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)
型號(hào) | TCT-RT |
溫度范圍 | RT |
測(cè)試對(duì)象 | 半導(dǎo)體薄膜、導(dǎo)電薄膜、絕緣薄膜等 |
熱導(dǎo)率測(cè)量范圍 | 0.1-10W/(m·K)(可擴(kuò)展至2000W/(m·K)) |
測(cè)試精度 (熱導(dǎo)率) | ±5%(在Si上測(cè)量),±10%(其他) |
適合氛圍 | 真空 |
樣品尺寸 | 長(zhǎng) x 寬:(5-10)x(5-10),單位mm,薄膜厚度≥100nm |
其他注意事項(xiàng) | 測(cè)量導(dǎo)電薄膜時(shí),需要沉積絕緣層(推薦:Sio2),薄膜表面要非常光滑,確保絕緣層不漏電; 襯底熱導(dǎo)率要遠(yuǎn)大于薄膜熱導(dǎo)率,推薦使用Si、AIN等高熱導(dǎo)襯底。 |
主機(jī)尺寸 | 710 x 600 x 490,單位mm |
重量 | 80kg |
薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)原理
薄膜熱導(dǎo)率測(cè)試系統(tǒng)原理示意圖
本產(chǎn)品技術(shù)方案核心為3ω測(cè)試法,其主要原理為在待測(cè)薄膜材料表面淀積一層金屬電阻條,往金屬條兩端施加頻率為ω的電流,那么在焦耳熱的作用下該金屬條將產(chǎn)生頻率為2ω的溫升,由于金屬條一般表現(xiàn)出正電阻溫度系數(shù),這將導(dǎo)致其電阻值也產(chǎn)生頻率為2ω的波動(dòng),這個(gè)頻率為2ω的電阻與頻率為ω的電流耦合將產(chǎn)生一個(gè)在頻率為3ω的小電壓信號(hào)V3ω。該小信號(hào)電壓的幅值與待測(cè)材料的熱導(dǎo)率有關(guān),因而檢測(cè)該電壓信號(hào)后通過(guò)相關(guān)計(jì)算,就可求出待測(cè)材料的熱導(dǎo)率Ks。