簡(jiǎn)要描述：武漢嘉儀通 MRS-3/MRS-3RT薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)專(zhuān)門(mén)針對(duì)薄膜材料的Seebeck系數(shù)和電阻率測(cè)量，測(cè)溫范圍達(dá)到81K~700K，采用動(dòng)態(tài)法測(cè)量Seebeck系數(shù),避免了靜態(tài)測(cè)量在溫差測(cè)量上的系統(tǒng)誤差,測(cè)量更準(zhǔn)確。

詳細(xì)介紹

薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品特點(diǎn)

專(zhuān)門(mén)針對(duì)薄膜材料的Seebeck系數(shù)和電阻率測(cè)量。

測(cè)試環(huán)境溫度范圍達(dá)到81K~700K。

采用動(dòng)態(tài)法測(cè)量Seebeck系數(shù)，避免了靜態(tài)測(cè)量在溫差測(cè)量上的系統(tǒng)誤差，測(cè)量更準(zhǔn)確。

采用四線(xiàn)法測(cè)量電阻率。

熱電偶探針經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的篩選配對(duì)保證測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確和穩(wěn)定。

軟件操作簡(jiǎn)單，智能化可實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)模式。

薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試實(shí)例

標(biāo)準(zhǔn)鎳帶測(cè)試結(jié)果

東華大學(xué)MoS2測(cè)試結(jié)果

MRS-3對(duì)Bi2Te3薄膜測(cè)試結(jié)果（電工研究所提供樣品）

薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)

型號(hào)	MRS-3		MRS-3RT
環(huán)境溫度	81K~700K		RT
溫控方式	PID程序控制	/
真空度	≤ 1Pa	/
測(cè)試氣氛	真空	空氣
測(cè)量范圍	澤貝克系數(shù)：S ≥ 8µV/K；電阻率：0.1µΩ•m ~ 1000KµΩ•m
分辨率	澤貝克系數(shù)：0.05µV/K；電阻率：0.05µΩ•m
相對(duì)誤差	澤貝克系數(shù) ≤ 7%，電阻率 ≤ 5%
測(cè)量模式	自動(dòng)
樣品尺寸	長(zhǎng) x 寬:(10~18)x(4~14)mm²,薄膜厚度≥50nm
主機(jī)尺寸	采集箱：470x400x140，單位mm 變溫裝置：直徑x高 460x800mm		170x250x220，單位mm
重量	31.9kg		3.5kg

薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)樣品要求

樣品滿(mǎn)足上述樣品尺寸，待測(cè)面需平整，薄膜均勻性好，保證與銅片接觸良好

薄膜材料厚度可至100nm，其均勻性有較高要求，薄膜厚度達(dá)到微米級(jí)別較好

薄膜材料的襯底需選擇電阻率較大或絕緣材料為宜，如玻璃、Si等材料

薄膜熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)原理

　　動(dòng)態(tài)法：測(cè)量Seebeck系數(shù)

　　在待測(cè)溫場(chǎng)下給樣品兩端加一個(gè)連續(xù)變化的微小溫差，通過(guò)記錄樣品兩端溫差和熱電勢(shì)的變化，然后將溫差和熱電勢(shì)擬合成一條直線(xiàn)，直線(xiàn)斜率即為該材料在該溫場(chǎng)下的Seebeck系數(shù)。

　　采用四線(xiàn)法測(cè)量電阻率。

其他推薦產(chǎn)品更多>>

薦

薄膜熱應(yīng)力測(cè)試系統(tǒng)
TST-1200 面議
查看詳情我要詢(xún)價(jià)
薦

薄膜磁性測(cè)試系統(tǒng)
TMT-500 面議
查看詳情我要詢(xún)價(jià)

以上信息由企業(yè)自行提供，信息內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由相關(guān)企業(yè)負(fù)責(zé)，包裝印刷網(wǎng)對(duì)此不承擔(dān)任何保證責(zé)任。溫馨提示：為規(guī)避購(gòu)買(mǎi)風(fēng)險(xiǎn)，建議您在購(gòu)買(mǎi)產(chǎn)品前務(wù)必確認(rèn)供應(yīng)商資質(zhì)及產(chǎn)品質(zhì)量。