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熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

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產(chǎn)品型號(hào)Namicro-3

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更新時(shí)間：2023-08-24 12:50:00瀏覽次數(shù)：219次

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產(chǎn)品分類 品牌分類

  薄膜材料物性分析儀器

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

簡(jiǎn)要描述：武漢嘉儀通 Namicro-3熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是采用動(dòng)態(tài)法(具有技術(shù))和四線法分別測(cè)量樣品的Seebeck系數(shù)和電阻率。

詳細(xì)介紹

熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品特點(diǎn)

擁有獨(dú)立知識(shí)產(chǎn)權(quán)，獲得多項(xiàng)技術(shù)。

采用動(dòng)態(tài)法測(cè)量Seebeck系數(shù)，避免了傳統(tǒng)靜態(tài)測(cè)量法在溫差測(cè)量方面的系統(tǒng)誤差，測(cè)量更準(zhǔn)確。

熱電偶不直接和樣品接觸，避免出現(xiàn)微型熱電偶斷裂失效的問題。

爐殼過溫報(bào)警，自動(dòng)斷電保護(hù)。

友好的軟件界面，操作簡(jiǎn)單，實(shí)時(shí)顯示采集數(shù)據(jù)、測(cè)試狀態(tài)和結(jié)果，采用智能化數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及處理算法。

熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)試實(shí)例

　　1、康銅樣品三次測(cè)試數(shù)據(jù)與美國(guó)AIP標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值對(duì)比

　　2、Namicro-3L、ZEM-3對(duì)N型Bi2Te3測(cè)試結(jié)果對(duì)比

　　3、Namicro-3L、ZEM-3對(duì)P型Bi2Te3測(cè)試結(jié)果對(duì)比

　　4、Namicro-3L、ZEM-3對(duì)MgSi測(cè)試結(jié)果對(duì)比（太原理工提供樣品）

熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)

型號(hào)	Namicro-3LT
溫度范圍	RT~800°C
溫控方式	PID程序控制
升溫速率	50°C/min
真空度	≤50Pa
測(cè)試氣氛	真空
測(cè)量范圍	澤貝克系數(shù)：S ≥ 8µV/K；電阻率：0.1µΩ•m ~ 106KµΩ•m
分辨率	澤貝克系數(shù)：0.05µV/K；電阻率：0.05µΩ•m
相對(duì)誤差	澤貝克系數(shù) ≤±7%，電阻率 ≤±5%
測(cè)量模式	自動(dòng)
樣品尺寸	塊體，長(zhǎng)x寬：(2~5) x (2~5)，單位mm；高度：10 ~ 18mm
主機(jī)尺寸	1000 x 400 x 500，單位mm
重量	75kg

熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)樣品要求

塊體：具備平整上下端即可

若樣品表面有腐蝕或氧化等雜質(zhì)層覆蓋，需對(duì)樣品表面拋光，使材料裸露出來，保證接觸良好

熱電參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)原理

動(dòng)態(tài)測(cè)量法

測(cè)試過程中給試樣兩段施加一微小的連續(xù)變化的溫差，測(cè)量樣品兩端熱電勢(shì)變化，溫差?T和熱電勢(shì)之間呈線性關(guān)系，其斜率即為seebeck系數(shù)。

四探針法

即四點(diǎn)接觸法，電流的路徑如右圖所示，但測(cè)量電壓使用的是另外兩個(gè)接觸點(diǎn)。相比二探針法，四探針法測(cè)量電阻率有個(gè)非常大的優(yōu)點(diǎn)——不需要校準(zhǔn)；有時(shí)用其它方法測(cè)量電阻率時(shí)還用四探針法校準(zhǔn)，因而測(cè)量精度更高。

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