詳細介紹
一、產(chǎn)品名稱概述:納米銀填充導電漿料研磨分散機,納米銀填充導電漿料分散機,納米銀導電漿料研磨分散機,納米銀導電漿料分散機
二、納米銀填充導電漿料的發(fā)展
導電漿料是發(fā)展電子元器件的基礎(chǔ)及封裝、電極和互聯(lián)的關(guān)鍵材料。隨著電子元器件向微型化、精密化和柔性化等方向發(fā)展,國內(nèi)外正在開展金屬導電填料納米化研究。其中,納米銀填充導電漿料備受關(guān)注。一般認為納米銀填充到基體中,由于粒子間的接觸點面積小,填料粒子數(shù)目增多導致接觸電阻增加。只有當納米銀間距離在一定范圍內(nèi)時,由于隧道效應(yīng)等使導電性增強,這主要與其顆粒大小和形貌、表面性質(zhì)和燒結(jié)行為等密切相關(guān)。
導電漿料一般由2-3個基體部分組成,即導電相(金、銀、銅等)、有機載體(有機樹脂和溶劑)和粘結(jié)劑(硅酸鹽玻璃等)。
三、納米銀導電漿料簡介
銀具有較高的導電率、優(yōu)異的物理化學性能、可接受的價格及其氧化物也具有導電性能等特點廣泛用于導電填料。目前導電銀漿中的導電相主要是微米或亞微米銀粉,這些漿料已不能滿足低溫燒結(jié)和多層布線等新技術(shù)的要求。
由于納米銀的表面效應(yīng)、小尺寸效應(yīng)等,以納米銀作為導電填料可以提高導電和導熱性;減少銀用量,降低生產(chǎn)成本;降低固化溫度,使銀漿可以應(yīng)用在PET模塊、柔性基板等;改善導電膠剪切強度等。除具有上述明顯的優(yōu)點外,也存在諸如漿料分散穩(wěn)定性較差,放置后極易出現(xiàn)納米銀的團聚和沉降,導電性能不穩(wěn)定和適用期短等問題。
四、納米銀填充導電漿料的制備方法
納米銀填充導電漿料的制備方法與微米銀漿料的制備方法相似,主要是將市售或自制的納米銀以干粉或液態(tài)形式,單一或與微米銀片混合,通過機械攪拌、高速剪切、超聲分散、高能球磨等方式分散到有機載體中。目前較為合適的為高速剪切的方式,主要優(yōu)勢為漿料適用性高、產(chǎn)量高、效率高。特別*SGN機械GMSD2000系列研磨分散機,轉(zhuǎn)速高達18000rpm,先研磨后分散,解決團聚問題,還原納米粒徑,得到多家廠家的認可和信任。
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五、GMSD2000系列研磨分散機特點
1、接觸過SGN上海思峻的人都知道,SGN膠體磨和SGN分散機在行業(yè)就是較的設(shè)備,SGN膠體磨和國內(nèi)膠體磨相比、SGN分散機和國內(nèi)分散機相比都是存在巨大優(yōu)勢的,而SGN研磨分散機又是將二者結(jié)合的設(shè)備,處理效果,不言而喻。SGN研磨分散機轉(zhuǎn)速可達14000rpm,是傳統(tǒng)分散機的4-5倍。
2、國內(nèi)分散機的結(jié)構(gòu)大都都是直連電機,分散機的主軸和電機直連,電機就決定了主軸的轉(zhuǎn)速。而進口分散機采用分體式結(jié)構(gòu),通過皮帶進行變速,國產(chǎn)設(shè)備由于結(jié)構(gòu)的設(shè)計缺失、機械密封技術(shù)的不足的原因,以及改進后成本大幅度的提高問題,一直無法實現(xiàn)高速分散機的自主研發(fā)和生產(chǎn)。
3、SGN高速剪切研磨分散機有很高的線速度,以及一級磨頭,特殊上深下淺的三層磨頭結(jié)構(gòu),一次處理即可滿足細化要求。一級刀頭形狀,可以把相對大塊的物料進行初步粉碎,以便能順利通過更細的兩級進行細微化研磨。磨頭齒列深度為從開始的 2.7mm 到末端的0.7mm,除了更精密之外,上深下淺的齒列結(jié)構(gòu),相較溝槽是直線,同級的溝槽深度一樣的磨頭,可以保證物料從上往下一直在進行研磨。雖和其它產(chǎn)品一樣磨頭采用三層磨齒,但他們只能在一級磨頭到另外一級磨頭形成研磨效果。二級分散盤,無論是在分散盤的結(jié)構(gòu)、還是定轉(zhuǎn)子的間隙都有比其他分散盤要精密的多。
六、納米銀導電漿料研磨分散機參數(shù)表
型號 | 流量L/H | 轉(zhuǎn)速rpm | 線速度m/s | 功率kw | 入/出口連接DN |
GMSD2000/4 | 300 | 18000 | 51 | 4 | DN25/DN15 |
GMSD2000/5 | 1000 | 13500 | 51 | 11 | DN40/DN32 |
GMSD2000/10 | 2000 | 9260 | 51 | 22 | DN80/DN65 |
GMSD2000/20 | 5000 | 3664 | 51 | 37 | DN80/DN65 |
GMSD2000/30 | 8000 | 1825 | 51 | 55 | DN150/DN125 |
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