包裝印刷網(wǎng)供求商機(jī)供應(yīng)信息氧化物晶體制備用晶體生長(zhǎng)爐供應(yīng)商
2025-04-17
一·真空生長(zhǎng)爐 科研對(duì)晶體生長(zhǎng)過(guò)程 設(shè)備用途
設(shè)備主要用于科研對(duì)晶體生長(zhǎng)過(guò)程,可用于制備氧化物單晶和金屬單晶晶體制備,如藍(lán)寶石、GGG,YAG,LaAlO3,Si和Ge等
二·真空生長(zhǎng)爐 科研對(duì)晶體生長(zhǎng)過(guò)程 產(chǎn)品特點(diǎn)
1·模塊化設(shè)計(jì),結(jié)構(gòu)緊湊,外形美觀,
2·采用側(cè)部開(kāi)門,結(jié)構(gòu)精巧,方便,移動(dòng)平穩(wěn)裝卸料方便
3· 采用觸摸屏+plc控制方式,自動(dòng)化程度高,操作直觀,功能強(qiáng)大。
4· 在觸摸屏內(nèi)可預(yù)存幾十種燒結(jié)工藝,一次編輯,以后直接調(diào)用使用,省去多次編輯工藝的麻煩,避免輸入錯(cuò)誤,燒壞產(chǎn)品。
5· 燒結(jié)的溫度,真空度,等數(shù)據(jù)可實(shí)時(shí)記錄,也可隨時(shí)啟動(dòng)停止記錄,減少無(wú)用數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)可查詢,可導(dǎo)出下載。
6· 燒結(jié)溫度高,用石墨坩堝,可達(dá)2100℃,
三·設(shè)備參數(shù)
1·設(shè)備總功率:≤35Kw;電源電壓:3相380V,50Hz
2·設(shè)計(jì)溫度:2100℃ 加熱功率 ≤25Kw 三相380V 30-80KHz 高頻感應(yīng)加熱
3·額定溫度:室溫~2100℃
4. 感應(yīng)線圈尺寸:Ф90×100mm(直徑×高,) 中間設(shè)置保溫層坩堝底放置線圈內(nèi)部,防止底部材料固化。
6·腔體尺寸臥式Ф400Ф500mm(暫定)
7.測(cè)溫系統(tǒng): 在坩堝側(cè)部設(shè)計(jì)測(cè)溫孔 配置紅外測(cè)溫儀和歐陸程序儀表
9. 提拉速度: 慢速升降0.1-10mm/h(伺服控制)
10. 提拉桿旋轉(zhuǎn)速度0.1-25r/min
11. 提拉桿升降快速速度:≤35mm/min
12. 提拉行程:≤300mm
13. 爐內(nèi)充氣壓力:≤0.03MPa
14. 冷態(tài)極限真空度:6.7*10-4pa(配置真空計(jì),真空規(guī)管配置油陶瓷防腐涂層)
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